三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压
Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
扩展资料：
工作原理
理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压
Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流
Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流
Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降
Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降
hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）
Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）
Cob 共基极输出电容
Nf 嗓声系数
Fa 共基极截止频率
Hre 共发射极交流输入开路时的电压反馈系数
Gp 共基极时功率增益
Kp 共发射极时功率增益
Vf 正向降压
Vr 反向降压
Typ 典型值
Max 最大值
Min 最小值
If 正向电流
Ir 反向电流
Toff 关闭时间
共发极交流输入开路时的输示
.【回答】
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种
三极管的文字符号：
中间横线是基极B(Base)，另一斜线是集电极C(Collector)，带箭头的是发射极E（Emitter）。