在学习中遇到问题了,请老师们帮忙解答一下,能详细列出计算过程,orz
用容量为2K×4的ROM和512×8的RAM,组成容量为8K×8的存储器,其中ROM占6K,RAM占2K。
问:
(1)需要多少个ROM、RAM芯片?
(2)需要多少条地址线?
(3)写出片选信号的逻辑表达式。
(4)画出结构草图。
用1K×4的RAM芯片和2K×4的ROM芯片组成一个8K×8的存储器,其中RAM、ROM各占4K。
问:
(1)需RAM、ROM芯片各多少?
(2)需地址线多少条?
(3)列出有效片选的逻辑表达式。
(4)画出结构草图。
用512×4的RAM芯片和1K×4的ROM芯片,组成4K×8的存储器。(ROM,RAM各占2K)
求:
(1)需RAM、ROM芯片各多少个?
(2)需多少条地址线?
(3)有多少个片选有效信号?并写出逻辑表达式。
(4)画出存储器的结构图。
用容量为512×8的RAM芯片和容量为1K×4的ROM芯片,组成容量为8K×8的存储器。(其中只读存储器占6K,随机存储器占2K)
求:
(1)最少需要RAM、ROM芯片各多少?
(2)最少需要多少条地址线?
(3)有多少个片选有效信号?并写出逻辑表达式。
(4)画出结构草图
用容量为2K×8的ROM和1K×4的RAM,组成容量为16K×8的存储器,其中ROM占12K、RAM占4K。
求:
(1)需ROM、RAM芯片各多少?
(2)需多少条地址线?
(3)写出片选信号的逻辑表达式。
(4)画出结构草图。
在MML环境下绘制的原理图
1.1 MAR原理图 如图
实现MAR写操作的开关波动序列为:
由于我们在MAR的数据文本中写入的是“00”,因此在运行之初,MAR的输出信号为“00”。我们先将MAR的数据输入端的输入信号任意设置一个值,比如“AF”,即数据输入端的所有开关都置1。再将MAR读写控制端开关置1,此时,“AF”已经输入到MAR中地址为0的空间中,即“AF”替代了最初的“00”,但并没有通过输出端进行显示。最后将读写控制端信号置0,即将MAR中地址为0的内容输出,此时,MAR的输出显示为“AF”。
1.2 MDR原理图
如图
实现MDR写操作的开关波动序列为:
由于我们在MDR的数据文本中写入的是“00”,因此在运行之初,MDR的输出信号为“00”。你可以将MDR的数据输入端的输入信号任意设置一个值,比如“AF”,即数据输入端的所有开关都置1。再将MAR读写控制端开关置1,此时,“AF”已经输入到MDR中地址为0的空间中,即“AF” 替代了最初的“00”,但并没有通过输出端进行显示。最后将读写控制端信号置0,即将MDR中地址为0的内容输出,此时,MDR的输出显示为“AF”。
1.3 ROM原理图
实现ROM读操作的开关波动序列为:
对于ROM读操作,我们要先得到ROM的地址,才能从ROM中相应地址读出对应的数据。先在MAR的数据输入端的开关C1给出一个输入信号,再将MAR的读写控制端从低电平换到高电平,再换到低电平,此时,MAR数据输入端的信号已经通过MAR显示在其输出端了。由于ROM读写控制端始终为0,因此,当MAR的输出信号改变时,此时,便将ROM中地址为MAR输出信号的内容进行输出。最后,将MDR读写控制端开关C2从低电平换到高电平,再换到低电平,便将相应的数值写入MDR并通过8位LED灯进行显示。
1.4 RAM原理图
实现RAM写操作的开关波动序列为:
1、拨动MAR的数据输入端的开关给出任意一个值,比如“00000011”;
2、拨动MAR读写控制端开关C1,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,MAR的输出信号显示为“03”;
3、由于RAM读写控制端开关C3的初始状态为低电平,且由于RAM的数据文本为“00”~“FF”,此时,便将RAM中地址为“03”位的内容进行输出,即RAM的输出信号为“03”;
4、在MDR的数据输入端的开关中任意输入一个值,为了能够更好的体现RAM的功能,此时不要将输入设置为“00000000”或者“00000011”,这里我们假定输入为“00000100”;
5、拨动MDR读写控制端开关C2,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,MDR的输出信号显示为“04”;
6、最后拨动RAM读写控制端开关C3,使其从低电平变到高电平,再变到低电平,此时,便将数值“04”写入了RAM中地址“03”位中,其输出结果为“04”。