北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室，起源于1956年，由我国著名物理学家黄昆院士在北大物理系引领，开创了我国第一个专门致力于半导体研究的先河。这一实验室在七十年代取得了显著成就，成功研制出我国首块硅栅N沟道1K MOS DRAM，这一里程碑式的科研成果，对我国微电子科学技术史产生了深远影响，曾荣获全国科学大会的表彰。
近年来，在王阳元院士的卓越领导下，该实验室实现了显著的发展和提升。如今，它已发展成为我国微电子领域中一个重要的高层次人才培养和科学研究基地，为我国微电子科技的进步做出了重要贡献，培养出了一批批优秀的科研人才，推动了我国在这一领域的前沿探索。