[化学--物质的结构与性质]砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡

Question

[化学--物质的结构与性质]砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如图．试回答下列问题（1）下列说法正确的是______（选填序号）．A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．第一电离能：As＞GaC．电负性：As＞GaD．砷和镓都属于p区元素E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体（2）砷化镓是将（CH 3 ） 3 Ga和AsH 3 用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为：______．AsH 3 空间形状为：______（CH 3 ） 3 Ga中镓原子杂化方式为：______．（3）Ga的核外电子排布式为：______．（4）AsH 3 沸点比NH 3 低，其原因是：______．

Answer 1

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误； B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确； C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确； D．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故D正确； E．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故E正确； 故答案为：BCDE； （2）反应为（CH 3 ） 3 Ga和AsH 3 ，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH 4 ，反应的化学方程式为：（CH 3 ） 3 Ga+AsH 3 700℃ GaAs+3CH 4 ，AsH 3 中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH 3 ） 3 Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp 2 杂化， 故答案为：（CH 3 ） 3 Ga+AsH 3 700℃ GaAs+3CH 4 ；三角锥；sp 2 ； （3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 ， 故答案为：1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 ； （4）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH 3 分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低， 故答案为：NH 3 分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．