M6标记的是S9015三极管，可以用2TY（S8550）或2A（2N3906）代替。
2A表示最常用的MMBT3906，MMBT3906是一颗通用晶体管。
L6型号为“BSS69R”。PNP型高频小功率三极管，Vceo=40V、Ic=100mA、Pc=330mW、HFE=30-150、FT=200MHz、SOT-23封装。
扩展资料：
电子三极管Triode（俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT（BipolarJunctionTransistor）
J型场效应管 JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称
V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽。
使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料来源：
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