什么是HJT电池

Question

如题所述

Answer 1

HJT电池即异质结电池（Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer），是利用晶体硅作为基体，与非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。

P型氧化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜。异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n型）和异型异质（P-n或N-p）结，多层异质结称为异质结构。

一、HJT电池特点

1、结构对称：单晶硅片两面分别沉积本征层、掺杂层、TCO（TCO薄膜，是透明导电氧化物膜，简称透明导电膜，是一种具有导电功能，并且在可见光范围内透光性高的氧化物薄膜）以及印刷电极，电池工艺步骤更少。

2、低温工艺：采用低温工艺，工艺最高温度不超过200°C。使硅片的热损伤和变形减小，可以使用更薄的硅片做衬底。

3、高开路电压：在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入本征薄膜i-a-SiH，钝化硅表面缺陷，提高开路电压，提升广电转换效率。

4、温度特性：温度系数-0.24%/℃。同时HJT具有薄膜电池的优点，弱光性能更好。

5、LID与PID效应：基体为N型单晶硅，不存在P型晶硅的硼氧复合（晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命，导致初始光致衰减），硼铁分离（Fe-B对的分解-复合模型。Fe-B对分解成Fe和B，高能级的Fe复合中心使硅片受到Fe污染，从而引起电池性能下降），对LID效应免疫。表面沉积TCO薄膜，无绝缘层，无表层带电机会，避免PID现象的发生。

6、双面率：平均95%以上。

7、薄膜沉积技术需要使用高要求真空设备：获得低界面态的非晶硅/晶体硅界面，工艺环境盒操作要求高。低温封装工艺。