纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别是什么?

如题所述

原理及区别:
(1)纵向PNP管:
是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的,故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄,因此它的电流放大系数较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点,因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。
(2)横向PNP管:
这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的,故称为横向PNP管。由于受工艺限制,基区宽度不可能很小,所以它的值相对较低,一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是:
发射结和集电结都有较高的反向击穿电压,所以它的发射结允许施加较高的反压;另外它在电路中的连接方式不受任何限制,所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大,特征频率fT较低,一般为几~几十兆赫。
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