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PIN光电探测器简述
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光电探测器
答:
摘要: 用Al InGaN 四元合金代替Al GaN 作为
PIN
探测器
的有源层,研制出Al InGaNPIN 紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了
光电
性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1. 5 V ,反向击穿电压大于40 V ;室温- 5 V 偏压下,暗电流为33 pA ,350 nm 处峰值响应度为0. 163...
光电探测器
管脚定义
答:
光电探测器管脚定义如下:
1、光电二极管(PIN)
。2、雪崩光电管。3、四象限探测器。4、位敏探测器。5、波长感应探测器。
Pn结作为LED和
光电探测器
是如何工作的?
答:
LED和
光电探测器
是利用光电效应,LED是通过电转换成光,光电探测器是通过光转换成电子。具体看PN结的工作原理。PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。在形成PN结之后,由于N型半导体区...
求:一元件参数。元件上标有pf 511 2535 hitech 估计为
PIN光电探测器
答:
1.暗电流低。利用异质结分离效应,光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。 2.光响应度高。1310nm 达0.85~0.90 A/W,1550nm达0.95~1.05 A/W。 3.频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。 4.性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜,芯片性能在10年以上。 5.制造成本低。采用开...
光电
转换器件的原理是什么?
答:
光传感器通常是指紫外到红外波长范围的传感器,其类型可分为量子
探测器
和热探测器两类。本实验将介绍常用的量子探测器或称光子探测器,它是利用材料的
光电
效应制作成的探测器,故也称为光电转换器。其主要参数有响应度(灵敏度)、光谱响应范围、响应时间和可探测的最小辐射功率等。光电转换器件主要是利用...
pd激光
探测器
芯片有哪些
答:
pd激光
探测器
芯片有这些:1、
PIN光电
二极管(PINPhotodiode):适用于一般光功率测量和光信号检测的应用。2、APD(AvalanchePhotodiode):基于雪崩效应的光电二极管,可提供更高的增益和更低的噪声,适用于低光强度的激光探测。3、PSD(PositionSensitiveDetector):用于测量激光束位置和方向的探测器。激光...
为什么
pin
-pd频率响应高
答:
是因为它的结构与工作原理使其具有高速响应的能力。
Pin
-PD是一种基于光电二极管的
光电探测器
,它由p型半导体、i型半导体和n型半导体构成,Pin-PD在这三层半导体之间形成一个反向偏置,这使得它能够快速响应光信号。
PIN光电
二极管和APD雪崩二极管的优缺点
答:
APD雪崩二极管具有功率大、效率高等优点,它是固体微波源,特别是毫米波发射源的主要功率器件,广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中,其主要缺点是噪声较大。应用 PN结型
光电
二极管与其他类型的光
探测器
一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件(Charge-coupled Device, CCD)以及光电倍增管等设备中...
PIN光电
二极管的工作原理
答:
PIN
型
光电
二极管也称PIN结二极管、PIN二极管,在两种半导体之间的 PN结,或者半导体与金属之间的结的邻近区域,在P区与N区之间生成I型层,吸收光辐射而产生
光电
流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。工作原理 在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体,就可以...
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