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半导体光电探测器
平衡探测器-
半导体光电探测器
的原理及其应用
答:
光电探测器
,如同光与电的桥梁,是现代科技中的重要元件。它的核心原理是利用
半导体
材料将光信号转化为电信号,广泛应用于光纤通信、光纤传感、激光测距等诸多领域。这些探测器家族种类繁多,包括光敏电阻、光电二极管、三极管等,各有其独特的特性和优势。首先,让我们走进光电导型探测器的世界。以光敏电阻为...
光电
导
探测器
的工作原理
答:
因此,本征
光电
导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm)式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制.凡禁带宽度或杂质离化能合适的
半导体
材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导
探测器
材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、...
半导体探测器
的基础知识有哪些?
答:
4.对
半导体探测器
的要求气体探测器:在电离室中产生一个电子—离子对,大约需要能量ε≈30eV;半导体探测器:在晶体中产生一个电子—空穴对,大约需要能量ε≈3eV;闪烁体探测器:在
光电
倍增管光阴极上,产生一个光电子,大约需要能量ε≈300eV。 半导体探测器产生一个电子—空穴对需要的能量ε越小,能量分辨率越高。产生...
光电探测器
的主要应用
答:
常用的
光电
导
探测器
材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近红外波段有:PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等;在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。可见光波段的光电导探测器 CdS、Cd...
光电探测器
的技术指标
答:
1.
光电探测器
在应用选择时,需与辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配。例如,紫外波段可选用电光倍增管或专用紫外
光电半导体
器件;可见光信号可使用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件;红外信号则适合光敏电阻,近红外可选用Si光电器件或光电倍增管。2. 光电转换特性必须与入射辐射能量相匹配。在选择器件...
Pn结作为LED和
光电探测器
是如何工作的?
答:
LED和
光电探测器
是利用光电效应,LED是通过电转换成光,光电探测器是通过光转换成电子。具体看PN结的工作原理。PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型
半导体
,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。在形成PN结之后,由于N型半导体区...
增强型ccd属于哪种
探测器
答:
增强型CCD(Charge-Coupled Device)属于
光电探测器
的一种。CCD是一种
半导体
器件,能够将光信号转换为电信号,常用于数字相机、天文望远镜、显微镜等领域。增强型CCD是在传统CCD的基础上进行改进,通过增加微通道板(MCP)来增强CCD的灵敏度和信噪比,从而提高其探测能力。增强型CCD常用于低光强度条件下的...
光电探测器
有哪几种类型
答:
因此,这类
探测器
只能用于探测近红外辐射或可见光。利用内
光电
效应制成的光子型探测器,是用
半导体
材料制成的固态电子器件,主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光伏型探测器通常由半导体PN结构成,其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光...
半导体器件
半导体光电
器件
答:
半导体
器件在光电探测领域发挥着关键作用,其中
光电探测器
是核心组件。它们的主要任务是将微弱的光信号转化为电信号,这个过程通常涉及光敏电阻,利用半导体材料受光照时电阻下降的特性。光电二极管和光电池也是常见的光电探测元件,如雪崩光电二极管,能处理极微弱的光信号,通过强场区域的碰撞电离效应放大电信号。 半导体器件也...
半导体
gd是什么意思?
答:
半导体
GD的应用领域非常广泛。在光电子学方面,半导体GD可用于制作高效的
光电探测器
、光发射二极管、激光二极管、激光器等器件,这些器件在光通信、光传感、精密测量等方面都有广泛应用。在微电子学领域,半导体GD被用作晶体管和其他半导体器件的掺杂剂,从而改变其掺杂类型、掺杂浓度和电学性质。此外,半导体...
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