1.发光二极管的特性
1.效率
发光二极管的效率可以用电光源的常用术语来表征,即对红外光采用辐射效率ηe,对可见光则用发光效率ηl。但是也有用内量子效率ηqi和外量子效率ηqe来表征的;
ηqi=NT/G
2.光的光谱分布
对大多数半导体材料来说,由于折射率较大,在光逸出半导体之前,往往以经过多次反射,由于短波光比长波光易于吸收,所以峰值波长所对应的光子能量比带隙Eg小些。例如,GaAs发射的峰值波长所对应的光子能量为1.1eV,比室温下的带隙Eg小0.3eV。改变GaAs1-xPx中的x值,峰值波长在620---680nm范围内变化。谱线半宽度为200-300A。由此可知,发光二极管提供的是半宽度很大的单色光。
由于半导体的能隙温度的上升而减小,因此它所发射的峰波长随温度的上升而增长,温度系数约为2-3A/°C。
3.发光强度分布
一种在GaP基片上生成GaAsP的发光二极管的发光分布温度如图8所示,谱线宽度为400A,发射的角度宽度约为 22° ,500μW/sr。总之,发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。
4.光出射度
图9表明几种半导体P-N结发射的光出射度与输入电流的关系。可见,GaAs1-xPx和Ga1-xAlxAs,半导体发光管具有良好的线性,其他两种则相当差。图10表明发光二极管输出的光通量强烈地依赖环境温度,使用时必须加以考虑。
二、发光二极管的特性
1.效率
发光二极管的效率可以用电光源的常用术语来表征,即对红外光采用辐射效率ηe,对可见光则用发光效率ηl。但是也有用内量子效率ηqi和外量子效率ηqe来表征的;
ηqi=NT/G
公式中NT为辐射复合产生光子的效率,G为注入的电子空穴对书。这样ηqi等于注入每个电子空穴对在半导体内所发生的光子数,最高可接近100% 。
ηqe=NT/G
公式中,NT为从发光二极管输出光子的效率。这样qei等于注入每个电子空穴对所产生的输出器件外的有效光子数,一般只有0.01----13%。发射红外的ηqe可达15%,而绿光ηqe,下降到1%以下。
使外量子效率显著下降的主要原因是半导体本身的吸收,是光从半导体射入空气时的反射损失和全反射损失造成的。例如GaAs的折射率n=3.6,反射损失为32%,用图6所示结构的全反射损失为96%,出射的光只有百分之几。采用图7的结构,全反射损失大为减少。目前常用透明树脂替代图7的球型部分,以降低成本。
2.光的光谱分布
对大多数半导体材料来说,由于折射率较大,在光逸出半导体之前,往往以经过多次反射,由于短波光比长波光易于吸收,所以峰值波长所对应的光子能量比带隙Eg小些。例如,GaAs发射的峰值波长所对应的光子能量为1.1eV,比室温下的带隙Eg小0.3eV。改变GaAs1-xPx中的x值,峰值波长在620---680nm范围内变化。谱线半宽度为200-300A。由此可知,发光二极管提供的是半宽度很大的单色光。
由于半导体的能隙温度的上升而减小,因此它所发射的峰波长随温度的上升而增长,温度系数约为2-3A/°C。
3.发光强度分布
一种在GaP基片上生成GaAsP的发光二极管的发光分布温度如图8所示,谱线宽度为400A,发射的角度宽度约为 22° ,500μW/sr。总之,发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。
4.光出射度
图9表明几种半导体P-N结发射的光出射度与输入电流的关系。可见,GaAs1-xPx和Ga1-xAlxAs,半导体发光管具有良好的线性,其他两种则相当差。图10表明发光二极管输出的光通量强烈地依赖环境温度,使用时必须加以考虑。
5.响应时间
发光二极管的响应时间是标志反应速度的一个重要参数,尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。响应时间是指注入电流后发光二极管启亮(上升)和熄灭(衰减)的时间。发光二极管的上升时间随着电流的增大近似的成指数地衰减
6.寿命
发光二极管的寿命一般很长,电流密度小于1A/cm2的情况下,寿命可达1000000小时,即可连续点燃一百多年。这是任何光源均无法与它竞争的。发光二极管的亮度随着工作时间的加长而衰退,这就是老化。老化的快慢与电流密度j和老化时间常数r有关。
2.
指针万用表电阻X1k档,测二级管换极两次低阻值时黑表笔相接者为正极;照上法测电解电容低阻值是表笔相接者为负极。
3.1.最大平均整流电流IF(AV)
IF(AV)是指二极管长期工作时,允许通过的最大正向平均电流。它与PN结的面积、材料及散热条件有关。实际应用时,工作电流应小于IF(AV),否则,可能导致结温过高而烧毁PN结。
2.最高反向工作电压VRM
VRM是指二极管反向运用时,所允许加的最大反向电压。实际应用时,当反向电压增加到击穿电压VBR 时,二极管可能被击穿损坏,因而,VRM通常取为(1/2 ~ 2/3)VBR 。
3.反向电流IR
IR是指二极管未被反向击穿时的反向电流。理论上IR =IR(sat),但考虑表面漏电等因素,实际上IR 稍大一些。IR 愈小,表明二极管的单向导电性能愈好。另外,IR 与温度密切相关,使用时应注意。
4.最高工作频率fM
fM是指二极管正常工作时,允许通过交流信号的最高频率。实际应用时,不要超过此值,否则二极管的单向导电性将显著退化。fM的大小主要由二极管的电容效应来决定。
5.二极管的电阻
就二极管在电路中电流与电压的关系而言,可以把它看成一个等效电阻,且有直流电阻与交流电阻之别。
(1)直流等效电阻RD
直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID 之比(2)交流等效电阻rd
rd亦随工作点而变化,是非线性电阻。通常,二极管
参考资料:http://www.56dz.com/Article/dzrm/dzyj/200802/357.html
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