功率场效应管的驱动问题
我们知道，功率MOSFET是电压型驱动器件，当栅极驱动电压达到它的阀值电压时，它就开通，但是我想除了电压外，还应该有一定的驱动电流才行吧！不然但是电压值达到了，电流值达不到的话，是不是照样也开不了，在MOSFET规格书里面那个参数是表示开启电流呢？请指点！谢谢
那么比喻说我的PWM幅值为15V，选用一个开关管，往往PWM引脚和开关管的栅极之间还会接一个电阻，这个电阻应该是起到限流作用的吧！比喻经常看到选用一个10欧姆的电阻，我是想知道这个电阻的选用规则，如果大一些或者小一点，对栅极的驱动会不会有影响呢？请指点
电路图是这样的，就是图中的那个RP816 15欧姆的电阻
请问hejunde8261，能否告诉我关于这个电阻的计算公式，好急！真的非常感谢，如果不方便，能发到我邮箱么？ [email protected] 不胜感激
将前极驱动笼统的看作“驱动源”，由于功率MOSFET的输入属于电压驱动，必然会存在器件输入电容，尤其在大功率，高频率时这种输入电容非常明显。
为提高开关速率并降低开关损耗，可以通过改变栅极串联电阻控制开通过程中的峰值电流，就是串联这一电阻的意义，在运行频率较低时，开关损耗所占比例较小，驱动电压的上升、下降速率可以减慢些，反之相反。
至于计算，就不用说了，根据功率，器件，频率来计算的。这其中经验值非常重要。不知这样说明白没有，呵。
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第1个回答 2021-02-23
场效应管组成的H桥驱动电路
第2个回答 2009-03-17
在印象中，管子的数据参数并不是直接给出电流值，而是给出需要的栅极电荷QG值，通过一定的计算得到对驱动电路的要求。很抱歉，具体细节淡忘了，只是给一个提示，你可以再找资料看看。
第3个回答 2009-03-18
你都说了是电压驱动器件了怎么会有电流呢？
mosfet是这样，vgs大于vth了，并且vds不是0，这样d，s两级间就会产生电流。如果vgs不到vth，或者是0，理想情况是源漏无电流，但实际情况是有亚阈值电流或叫漏电流，一般很小，当vth很小，集成度高，线度小（比如45nm技术）的时候就要考虑了，他是静态功耗的主要来源。
而理想状态的栅极是没有电流流向源或漏极的。但实际情况是会有栅漏电流产生，依然很小一般忽略
总之，mos和晶体管工作原理是有区别的。一个是电压驱动，一个是电流驱动 栅级接电阻？应该还接其他位置了吧？直接串联么？没见过。方便就发图上来研究研究
mosfet是这样，vgs大于vth了，并且vds不是0，这样d，s两级间就会产生电流。如果vgs不到vth，或者是0，理想情况是源漏无电流，但实际情况是有亚阈值电流或叫漏电流，一般很小，当vth很小，集成度高，线度小（比如45nm技术）的时候就要考虑了，他是静态功耗的主要来源。
而理想状态的栅极是没有电流流向源或漏极的。但实际情况是会有栅漏电流产生，依然很小一般忽略
总之，mos和晶体管工作原理是有区别的。一个是电压驱动，一个是电流驱动 栅级接电阻？应该还接其他位置了吧？直接串联么？没见过。方便就发图上来研究研究
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