芯片哪个环节未来的国产替代率高

如题所述

随着信息化时代的不断进步,5G、物联网、新能源汽车、人工智能等领域的发展迅猛,对光刻胶的下游应用需求日益增长。根据SEMI的统计数据,预计到2024年,中国大陆将新增18座晶圆厂,其产能年增长率预计将达到13%。随着半导体工艺节点的不断升级,中国大陆的晶圆厂普遍采用DUV(ArF Immersion)多次曝光的7nm工艺流程,以及更多的金属层布线需求和NAND堆叠层数的增加,这导致光刻胶的需求量和价格都在上升。
我们需要全面审视光刻胶行业,包括光刻核心工艺、光刻胶原材料的构成、产业链上下游的分布、行业的核心壁垒以及发展现状,同时也要认识到发展国产替代的重要性与必要性。光刻胶在集成电路制造的光刻环节中扮演着核心材料的角色,其主要功能是在硅片上形成微细图形,从而实现电路的精密制造。光刻工艺包括涂胶、曝光和显影这三个基本步骤。光刻胶作为图形转移的介质,通过光化学反应,将所需的微细图形从掩模版转移到待加工的基片上,实现选择性刻蚀,这是微细图形线路加工的关键。
半导体光刻胶主要分为酚醛树脂-重氮奈醌型光刻胶(g线、i线)和化学放大型光刻胶(KrF、ArF、EUV)。评估光刻胶性能的主要指标包括分辨率、粗糙度和灵敏度。光刻胶由树脂、溶剂、感光剂和添加剂这四大组分构成,其应用范围涵盖了半导体、PCB和显示面板等领域。在半导体光刻胶市场中,ArFi光刻胶占据了主导地位,市场份额约为38%,而其他类型的光刻胶如ArF、KrF、G/I线和EUV等分别占据了10%、34%、16%和2%的市场份额。随着芯片制程技术的不断进步,EUV和ArFi光刻胶的市场份额预计将进一步扩大,为光刻胶市场带来新的增长动力。
光刻胶产业链由上游原材料、中游制造和下游应用三个环节组成。光刻胶的核心原材料的进口难度较大,国产替代的需求迫切。中游制造面临配方复杂、设备受限和量产稳定性难以控制等挑战。下游客户端的产品验证壁垒使得光刻胶产品的导入和替代过程变得复杂且成本高昂。全球光刻胶市场的规模预计将超过百亿美元,其中半导体领域占据了全球光刻胶市场的23.3%。光刻胶市场由日本和美国厂商主导,高度集中。国内光刻胶生产能力主要集中在技术门槛相对较低的PCB光刻胶领域。目前,国产半导体光刻胶市场尚处于初级阶段,国产化率普遍较低。实现高端光刻胶的国产化替代是保障我国国家安全和经济发展的必然选择,也是推动中国半导体产业向高质量发展的重要途径。
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