单晶硅和多晶硅的区别

Question

如题所述

Answer 1

单晶硅和多晶硅的区别主要有外观上面的区别、使用上面的区别以及制造工艺的区别等等。

1、外观上面的区别

单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；单晶硅深蓝色，近乎黑色；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹，多晶硅天蓝色，颜色鲜艳。

2、使用上面的区别

对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高，但是目前价格比多晶也高。

3、制造工艺的区别

多晶电池比单晶电池生产工艺步骤少，因此多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池略少，但是单晶电池组件发电量更高，综合算下来能耗比差别不大。

多晶硅的理化性质：

多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32—2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。

加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，几乎能与任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。