单片机P0口是通过怎样的设置才输出低八位地址的?

希望给个具体的步骤说明!
在访问外部程序存储器时,P0口输出低8位地址信息后,将变为数据总线,以便读指令码(输入)。
这个低8位地址信息是怎么设置来发出去的!

对于初学单片机的人来说,厘清一些基本概念非常重要。你能提出问题,表明你好学,不管问题简单还是复杂,你真的理解了,回答的人也就达到目的了。
学习单片机必须掌握机器周期和时序的概念。时序,简单说就是按节拍工作,通俗说就是一定时刻该干什么干什么。
单片机P0口不需要人工设置会根据指令自动输出低八位地址的。在访问外部程序存储器时,P0口输出低8位地址信息后,ALE有效,将这一地址信息锁存,随后P2输出地址高八位,与已经锁存的低8位地址组合成16位地址,同时,P0变为数据总线,PSEN有效,以便读指令码(输入)。
这个低8位地址信息是由CPU自动指挥发出去的,如果非要说有设置,那就是选择外部程序存储器的设置,但那是硬件的。追问

1.这个ALE、PSEN这些是自己自动变化的吗?如果变化了,那对应引脚的第一功能收不收影响的?
2.访问外部程序存储器时,低八位和高八味全部都要输出吗?我看一些文章只写了第八位!

追答

    这个ALE、PSEN这些是自己自动变化的吗?如果变化了,那对应引脚的第一功能收不收影响的?

    问得好!这个ALE、PSEN这些是自己自动变化的,第一功能肯定受影响。

    访问外部程序存储器时,低八位和高八味全部都要输出吗?我看一些文章只写了第八位!

    访问外部程序存储器时,低八位和高八味必须全部要输出。你看一些文章只写了低八位也许只是个示范,256个字节能是什么程序?

追问

这个问题解释得清楚,理解了!我在问下别的问题哈,财富我再追加下!
1.P0口内部的上拉场效应管是增强型P沟道MOS场效应管,下拉是增强型N沟道MOS场效应管吗?
2.P的是电压S>G才导通,N的是电压G>S才导通。
我在P0口介绍的文档里看到,上下两个场效应管都是栅极加了高电平就导通了!按照上面说的。那上拉的场效应管不是加了低电平才导通的吗?

追答

刚才我回答了一个类似问题,不会是你吧?


1.P0口内部的上拉场效应管是增强型P沟道MOS场效应管,下拉是增强型N沟道MOS场效应管吗?
对头,刚刚就是这么回答的。


2.P的是电压S>G才导通,N的是电压G>S才导通。

这个也对。


我在P0口介绍的文档里看到,上下两个场效应管都是栅极加了高电平就导通了!

这样的文档我没看到。


按照上面说的。那上拉的场效应管不是加了低电平才导通的吗?

这个你说得对。

看到上边两个管子屁股上的小圈圈没?圆圈是反相的意思。下边的肯定是高电平驱动,否则没地方整负电压去,那上边就是低电平驱动了。明白?


还有STC的,都差不多。

追问

如果有空的话,帮忙看下另外提的问题吧!
http://zhidao.baidu.com/question/1368463291960862699.html
http://zhidao.baidu.com/question/362759934094528692.html

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