光晶体三极管双极型光晶体管

如题所述

双极型光晶体管在结构上存在着同质型和异质型两种形式。异质结光晶体管的能带结构图直观地展示了其工作原理。光在基区和收集区发生吸收,随后产生的空穴(即多子)在基区集中,这促使发射结注入更多的电子以保持电荷平衡,从而产生增益效应。相较于同质结型光晶体三极管,异质型具备以下优势:首先,利用宽带发射区作为光学窗口,可以显著提升量子效率;其次,通过提高注入效率,极大地提高了放大倍数β。在短波长(小于0.9微米)的应用中,通常选择GaAs-GaAlAs系统作为基础材料,而对于长波长(超过1.1微米)的场合,InP-InGaAsP系统更为常用,有时会采用背面照射技术。这些系统所采用的基区材料通常是直接能隙半导体,其对光的吸收率极高,因此允许基区设计得更薄,从而大大减少了基区的渡越时间,提高了整体性能。
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