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晶闸管驱动电路特点
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的
驱动电路
各有什么
特点
答:
GTR
驱动电路
的
特点
是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要...
IGBT、GTO、GTR与MOSFET的
驱动电路
有什么
特点
?
答:
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断
晶闸管
GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的
驱动电路
:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是其
驱动特点
:原方N1到副方N2出项两种导通:正向:C3放电—...
理想的电力电子器件应具有什么
特点
答:
理想的电力电子器件应具
特点
1、
晶闸管
:承受电压和电流容量在所有器件中最高。2、IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动
,驱动功率小;开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。3、GTR:耐压高,电流大,开关
特性
好,通流能力强,饱和...
...表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要
特点
?
答:
GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,
驱动电路
复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关
特性
好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流...
...表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要
特点
?
答:
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,
驱动电路
复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关
特性
好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动...
IGBT
驱动电路
的驱动方式是什么???
答:
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断
晶闸管
GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的
驱动电路
:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是其
驱动特点
:原方N1到副方N2出项两种导通:正向:C3放电—...
晶闸管
是电流型还是电压型器件?是怎样区分的?原则是什么?
答:
可控硅
分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制
电路
简单,没有反向耐压问题,...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
答:
GTO(门级可关断
晶闸管
):全控型器件 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,
驱动电路
复杂,开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关
特性
好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要...
PLC
晶闸管
输出是多少?
答:
以下是从网上帮你找的资料。\r\nPLC双向
晶闸管
输出
电路
只能
驱动
交流负载,响应速度也比继电器输出电路形式要快,寿命要长。双向晶闸管输出的驱动能力要比继电器输出的要小,允许负载电压一般为AC85~242V;单点输出电流为0.2A~0.5A,当多点共用公共端时,每点的输出电流应减小(如单点驱动能力为0.3A...
IGBT有哪些?
答:
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断
晶闸管
GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的
驱动电路
:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是其
驱动特点
:原方N1到副方N2出项两种导通:正向:C3放电—...
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