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碰撞电离雪崩
电子
雪崩
现象的定义是什么?
答:
答:电子
雪崩
现象的定义 1、当一个电子从放电极(阴极)向收尘极(阳极)运动时,若电场强度足够大,则电子被加速,在运动的路径上碰撞气体原子会发生
碰撞电离
。2、和气体原子.第一次碰撞引起电离后,就多了一个自由电子。3、这两个自由电子向收尘极运动时,又与气体原子碰撞使之电离,每一原子又多产...
简述
雪崩
击穿和隧道击穿原理?谢谢大神,在线等,急
答:
如此连锁反应,使得阻挡曾中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿
电工所说的
雪崩
现象是什么?
答:
雪崩
就是突然的崩溃了,指三极管集电极电流,最先是按一定的线性关线上升,到一定程度后,突怨成倍增大至击穿状态
如何区别齐纳击穿和
雪崩
击穿
答:
一、性质不同 1、
雪崩
击穿:新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应,势垒层中载流子的数量急剧增加,流过PN结的电流急剧增加。这种
碰撞电离
导致的击穿称为雪崩击穿。2、齐纳击穿:由场致激发而产生大量的载流子,使PN结的反向电流剧增,呈现反向击穿现象。...
什么是
雪崩
增益效应
答:
半导体
雪崩
光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的
碰撞电离
效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光电转换...
雪崩
击穿与掺杂浓度的关系
答:
雪崩
击穿与掺杂浓度之间存在关系。当掺杂浓度较低时,PN结空间电荷区宽度较宽,电子在电场的作用下获得的能量较大,足以克服共价键的束缚而成为自由电子。这种情况下,
碰撞电离
的机会较多,容易发生雪崩击穿。综上所述,雪崩击穿与掺杂浓度的关系是:掺杂浓度越低,越容易发生雪崩击穿。
雪崩电离
和电离规中的电离主要区别
答:
这两种电离主要的区别是电离的过程和应用场景。1、
雪崩电离
是在PN结反向电压增大到一定数值时,载流子通过
碰撞电离
和渡越时间效应产生自由电子空穴对,进而产生倍增效应,像雪崩一样增加载流子,形成离子组成的“风”。2、电离规中的电离则是利用强电场将中性分子剥离电子,形成带正电的离子,进而推动飞机前进...
二维材料,为
雪崩
光电探测器带来新思路
答:
实现载流子倍增的
碰撞电离
是设计具有高检测效率的二维光电探测器的有前途的策略。然而,在二维光电探测器中通过碰撞电离产生的
雪崩
效应尚未得到广泛研究。 核心内容 有鉴于此, 中科院上海技术物理研究所的Jinshui Miao课题组和美国华盛顿大学的Chuan Wang课题组对由二维层状材料及其范德华异质结构构成的雪崩光电探测器进行...
二极管
雪崩
击穿时间
答:
30ps。
雪崩
二极管是利用半导体结构中载流子的
碰撞电离
和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件,击穿时间是从30ps到2ms。整流二极管掺杂浓度没有这么高,PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。
通讯气体放电理论认为造成气体击穿的
电离
形式主要有?
答:
指代不同 1、汤逊理论:又叫汤逊放电,以电子
碰撞电离
为主,电子崩中电子数目小于10的8次方。电子碰撞电离放电机理认为,受外界因素的作用,在气体间隙中存在自由电子。 2、流注理论:于气体电击穿机理的一种理论。由R.瑞特与J.M.米克于1937年提出。 二、气体放电过程观点不同 1、汤逊理论:新产生的...
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