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碰撞电离雪崩
稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电
答:
雪崩
击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽,随着反向电压的增大,阻挡层内部的电场增强,通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快,动能增大。当反向电压大到一定数值时,载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对。这过过程称为
碰撞电离
。新产生...
雪崩
击穿的概念
答:
新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。 雪崩击穿有正温度系数。而齐纳击穿有负温度系数。可以利用这一点减小温漂。
雪崩
击穿的介绍
答:
通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。
雪崩
击穿的概念
答:
新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。 雪崩击穿有正温度系数。而齐纳击穿有负温度系数。可以利用这一点减小温漂。
雪崩
击穿电压是什么?
答:
产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用下再去碰撞其他中性原子,又产生的自由电子空穴对.如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧增加,因而流过PN结的反向电流就急剧增大.因增长速度极快,象
雪崩
一样,所以这种
碰撞电离
称为雪崩击穿.此时的电压称为雪崩击穿电压 ...
pn结
雪崩
击穿无关的描述
答:
通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。
如何区别齐纳击穿和
雪崩
击穿
答:
二、特点不同 1、
雪崩
击穿特点:材料掺杂浓度较低的PN结中,空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。这样,通过空间电荷区的电子和空穴,获得的能量在电场作用下增加。2、齐纳击穿特点:齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场,在
碰撞电离
机理中,不仅与场强有关,而且与载流子碰撞的累积...
雪崩
和齐纳击穿有什么用
答:
雪崩
击穿和齐纳击穿的作用:1、雪崩击穿的具体作用:材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生
碰撞
,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子...
半导体
雪崩
光电二极管的工作原理
答:
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时,在耗尽层内运动的载流子就可能因
碰撞电离
效应而获得
雪崩
倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此以前,只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离,则通过耗尽层的载流子就会具有某个...
齐纳击穿和
雪崩
击穿的区别
答:
通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量
雪崩
式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种
碰撞电离
导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。
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