NAND基本操作

Question

如题所述

Answer 1

NAND存储器每个页结构独特，包含2048字节的数据区和64字节的空闲区，总计2,112字节。这些空闲区不仅用于ECC校验、磨损均衡等软件功能，而且在物理上与数据区并无区别。NAND设备有两种接口类型，即8位和16位，通过双向数据总线连接至主数据。在16位模式中，指令和地址仅使用低8位，高8位在数据传输期间发挥作用。

擦除一个区块大约需要2毫秒，而数据写入寄存器大约需要300微秒。读取一页的时长约为25微秒，涉及存储阵列访问和数据读入16,896位寄存器。NAND接口的关键控制信号包括：

芯片启动(Chip Enable, CE#)：在没有接收到CE信号时，NAND保持待机状态。
写使能(Write Enable, WE#): 负责将数据写入NAND。
读使能(Read Enable, RE#): 允许输出数据缓冲区。
指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时，指令被写入指令寄存器。
地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE): 地址写入地址寄存器。
就绪/忙(Ready/Busy, R/B#): 当NAND忙时，信号变低，通常需要上拉电阻。

数据通过16位或8位接口进出寄存器，编程时，数据在WE#上升沿进入寄存器，而随机存取数据则需专用指令。数据寄存器通过RE#信号输出现有数据，而WE#和RE#信号运行速度快，达到30ns。编程指令如80h，当输入页编程指令时，内部会重置为全1，用户仅需输入要编程的0位数据。

所有NAND操作以指令周期开始，通过设置指令和驱动CE#低、CLE高来执行。大多数指令需要多个地址周期，但复位和读状态指令例外。块擦除操作仅需三个最高字节地址，而编程和读取操作通常需要完整的5字节地址，但内部随机存取操作仅使用前两字节。

NAND的基本操作包括复位、读取ID、读取状态、编程、随机数据输入和读取等。每种操作都有其特定的指令和时序要求。

扩展资料

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。