• 所有问题

    • 请问，n沟道增强型绝缘栅场效应晶体管能耐的最高电压是多少？望赐教！非常感谢！

    是什么型号？

    举报该问题
    其他回答
    第1个回答  2010-07-04
    比较常用的高耐压的型号有:DF15VD60 600V 15A
    P5NK60ZFP TO-220FP N沟道600V 5A等
    相似回答
    irf740是什么管?答：它是一种N沟道场效应管（绝缘栅型）晶体管，参数如下：极性:N沟道；漏极电流（ Id）最大值: 10A (at 25℃)电压,（Vgs） 最大值:20V 开态电阻（ Rds(on)）: 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V，Id=5.3A 电压, （Vds）最高:400V 功耗（P）:2.5W 封装类型:TO 220 针脚数:3 晶体管类型:MOSF...
    绝缘栅场效应管的工作原理答：这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。主要参数：Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效...
    绝缘栅型场效应管是一种什么器件答：以N沟道增强型MOSFET为例，当栅源电压VGS大于阈值电压VT时，栅极下的P型硅表面形成反型层，即N沟道，使得漏极和源极之间开始有电流流通。通过改变VGS的电压值，可以控制漏极电流ID的大小。这种通过电压来控制电流的特性，使得MOSFET在放大电路和开关电路中有广泛应用。绝缘栅型场效应管在电子设备中的应用...
    汽车集电极的作用是什么答：一文看懂IGBTIGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，...
    N沟道增强型绝缘栅场效应管所加电压UGS为什么不能小于0答：N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。先从NMOS的工作原理讲起：对于增强型NMOS，绝缘层中没有电荷，所以栅不通电时，绝缘层下的沟道仍为P型半导体，而而NMOS的漏极和源极是N型的，则源极和漏极之间就相当于两个反接的二极管，这时源漏之间不管多大的电压也不能导通，没有导电沟道。当栅加正...
    技术小科普—MOS管场效应管(MOSFET)详解答：场效应管，分为结型和绝缘栅型，其中MOS管因其广泛应用而知名。MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，简称MOSFET）是绝缘栅型的一种，根据沟道材料和导电方式，分为N沟道和P沟道，以及耗尽型和增强型。MOSFET的型号命名有多种方法，如3DJ6D和3DO6C，分别代表结型和绝缘栅型...
    IGBT模块是什么东西?有什么用?答：非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。...
    MOSFET 有几种类型,电路符号是什么样?答：结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以...
    绝缘栅场效应管结构和符号答：首先，我们来看一下N沟道增强型绝缘栅场效应管（MOSFET）的基本构造。如图一所示，图1展示了这种器件的结构示意图和符号。它由一块P型硅基底构成，其中包含两个高掺杂浓度的N+区，这两个区域被均匀地分布在硅片上。在两个N+区之间，我们能看到一层非常薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，这是MOSFET的关键...
    大家正在搜
    场效应管与晶体管的区别场效应管与双晶体管比较场效应管功放对比晶体管功放增强型场效应管功率场效应晶体管功率场效应晶体管简称功率场效应晶体管图形符号场效应管栅极三级管场效应管