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N型砷化镓载流子迁移率大小
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第1个回答 2022-04-13
很高。
砷化镓半导体材料有很高电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。
因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，制作成光电元件。
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砷化镓
的介电常数,电子
迁移率
分别是多少
答：
吉林大学《半导体器件物理》附录，介电常量砷化镓13.1，硅11.8，锗16.0。
迁移率砷化镓8500、400，硅1350、480，锗3900、1900
，大的是电子的迁移率，电子有效质量小比较瘦跑得快嘛←_←
迁移率
的物理意义是什么?它由什么因素决定
答：
迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率
。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴...
掺杂的
砷化镓
半导体中电子的
迁移率
在杂质浓度很小和很大是如何随温度变...
答：
迁移率
下降趋势就不太显著，说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候，在低温范围，随温度的升高，电子迁移率反而缓慢上升，到一定温度才下降，即温度低时杂质散射其主要作用，温度高时晶格振动散射为主。
什么是耿氏效应
答：
解析:此为半导体物理学中的概念。耿氏效应:
n型砷化镓
两端电极上加以电压.当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应.耿氏效应与半导体的能带结构有关:砷化镓导带最低能谷1位于布里渊区中心,在布里渊区边界L处还有一个能谷2,它比能谷1高出0.29ev.当温度不太高时,电场不...
P型半导体和
N型
半导体的区别是什么?
答：
N型
半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度...
砷化镓
是金属材料吗
答：
属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏。
砷化镓
于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子
迁移率
比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字...
什么是耿氏效应
答：
此为半导体物理学中的概念。耿氏效应:
n型砷化镓
两端电极上加以电压.当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应.耿氏效应与半导体的能带结构有关:砷化镓导带最低能谷1位于布里渊区中心,在布里渊区边界L处还有一个能谷2,它比能谷1高出0.29ev.当温度不太高时,电场不太强...
砷化镓
掺杂硅有什么用
答：
开发器件材料。硅就是得到最广泛研究的一种掺杂剂，这种四族元素，在低温下与
砷化镓
作用，可形成p型材料，在高温下与砷化镓作用，可形成
n型
材料，砷化镓掺杂硅可以根据砷化镓材料电子
迁移率
高的特性，它是开发超高速计算机很理想的器件材料，它的电子迁移率比硅高约5倍，它的运算速度比硅器件也高许多。砷...
磁敏电阻的工作原理
答：
常用的半导体有InSb(或InSb-NiSb共晶材料)、砷化铟(InAs)和
砷化镓
(GaAs)等材料，一般用
N型
。高纯度InSb和InAs的电子
迁移率
分别为5.6～6.5 m/(V·s)和2.0～2.5m/(V·s)。InSb的禁带宽度小，受温度影响大。GaAs的禁带宽度大，电子迁移率也相当大[0.8 m/(V·s)]，受温度影响小，且灵敏...
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