(2014?湖北模拟)砷化镓为第三代半导体材料,晶胞结构如图所示,(1)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700

(2014?湖北模拟)砷化镓为第三代半导体材料,晶胞结构如图所示,(1)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的化学方程式为______.(2)AsH3空间构型为______.已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式是______.(3)砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为a cm,砷化镓的摩尔质量为b g?mol-1,阿伏伽德罗常数值为NA,则砷化镓晶体密度的表达式______ g?cm-3.

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