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目前功率最大的全控器件
gto、 gtr、 mosfet、 igbt的区别是什么?
答:
GTO(门级可关断晶闸管):
全控
型
器件
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动
功率大
,驱动电路复杂,开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要...
常用
全控
型电力电子
器件
有哪几种?
答:
门极可关断晶闸管(Gate Turn Off THyristor,GTO)。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断,所以它是电流控制型
的全控
型
器件
。电力晶体管(Giant Transistor,GTR),GTR也是电流控制型器件。电力场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)。常说的MOSFET就属于这一类,即绝缘栅型场效应管(...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
答:
GTO(门级可关断晶闸管):
全控
型
器件
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动
功率大
,驱动电路复杂,开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要...
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子
元件
,试给出各元件的主要...
答:
GTO(门级可关断晶闸管):
全控
型
器件
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动
功率大
,驱动电路复杂,开关频率低 。GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断...
IGBT单管和MOS管的区别,MOSFET是MOS吗?
答:
多的
这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(
目前最大
6500V),但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾,关断速度会减低;MOS就是MOSFET的简称了;IGBT和MOS是
全控器件
,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;可控硅...
1.常用
全控
型电力电子
器件
有哪几种?电压控制型的是哪几种?属于电流控制...
答:
常用
全控
型电力电子
器件
:门极可关断晶闸管。电压控制型器件:电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件:电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中,晶闸管承受的
最大
正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。按照2倍安全裕量选取,晶闸管的额定电压应不小于:sqrt(2)*220*2=1.414*220*2=...
大
功率
半导体
器件
的主要特点有哪些?
答:
从这些
功率
半导体
器件
的开关特性来说,分为三类。第一类是二极管,加上正向电压就接通,加上反向电压就断开,称为不控型器件,第二类是晶闸管,加上正向电压时,能控制接通,不能控制断开,称为半控型器件。第三类是后面5种器件,加上正向电压时,能控制接通,也能控制断开,称为
全控
型器件。功率半导体...
全控
型
器件
的简介
答:
通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子
器件
被称为
全控
型器件,又称为自关断器件;这类器件很多,门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)均属于此类。
功率
半导体
器件
有哪些?
答:
从这些
功率
半导体
器件
的开关特性来说,分为三类。第一类是二极管,加上正向电压就接通,加上反向电压就断开,称为不控型器件,第二类是晶闸管,加上正向电压时,能控制接通,不能控制断开,称为半控型器件。第三类是后面5种器件,加上正向电压时,能控制接通,也能控制断开,称为
全控
型器件。功率半导体...
功率
半导体
器件
主要有哪些?
答:
从这些
功率
半导体
器件
的开关特性来说,分为三类。第一类是二极管,加上正向电压就接通,加上反向电压就断开,称为不控型器件,第二类是晶闸管,加上正向电压时,能控制接通,不能控制断开,称为半控型器件。第三类是后面5种器件,加上正向电压时,能控制接通,也能控制断开,称为
全控
型器件。功率半导体...
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