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晶闸管的触发电压与触发电流
晶闸管的触发
角
答:
当
可控硅
导通角α=180°时,电动机端电压波形为正弦波,即全导通状态;当可控硅导通角α <180°时,电动机端电压是非全导通状态,有效值减小;α 越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。但这时电动机
电压和电流
波形不连续,波形差,故电动机的噪音大,甚至...
温度升高时,
晶闸管的触发电流
、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电 ...
答:
只有正反向漏
电流
会增大,其他都减小。标准答案
在
晶闸管
整流设备中交流和直流接电抗器有何区别
答:
当控制极加正向电压时,控制极电路就有电流IG,晶闸管就容易导通,其正向转折电压降低,特性曲线左移。控制极电流愈大,正向转折电压愈低。 实际规定,当晶闸管的阳极与阴极之间加上6V直流电压,能使元件导通的控制极最小电流(电压)称为触发电流(电压)。由于制造工艺上的问题,同一型号的
晶闸管的触发电压和触发电流
也不尽...
可控硅
、MOSFET、IGBT、GTO是
电压触发
还是
电流触发
,它们在作用上有什么...
答:
可控硅、GTO是
电流触发
,其中
可控硅触发
导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是
电压
控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同...
维持
晶闸管
导通的条件是什么
答:
维持晶闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向
触发电压
,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小,使导通了的晶闸管关断的条件是使流过
晶闸管的电流
减小至一个...
单结晶体管
触发
电路震荡频率与电路中电容C1的数值有什么关系
答:
电容在晶体管振荡电路中是重要的起振元件,利用它的充放电特性,在充电和放电间会产生断续的
电压
来
触发
晶体管,晶体管便断续地接通和关断。从而完成振荡,振荡的频率{次数},由电容的充放电时间决定,充放电时间由电容的容量决定,容量越大充电时间越长,时间越长振荡的次数{频率]越少。因此可见电路的...
晶闸管
导通角度与流过
电流
的关系
答:
未导通前电流近似为零,导通后电流与接在
晶闸管
上
的触发电压与触发
端上所串接的电阻有关。
电流与
电压波形一样,没有超前和滞后。
电力电子技术问题:三相桥式全控整流电路中六个
晶闸管
是怎样
触发
的?
答:
3) 整流输出
电压
ud一周期脉动6次,每次脉动的波形都一样,故该电路为6脉波整流电路。4)在整流电路合闸启动过程中或
电流
断续时,为确保电路的正常工作,需保证同时导通的2个
晶闸管
均有
触发
脉冲。为此,可采用两种方法:一种是使脉冲宽度大于60o(一般取80o ~100o),称为宽脉冲触发。另一种方法是...
单结晶体管
触发
电路震荡频率与电路中电容C1的数值有什么关系
答:
电容在晶体管振荡电路中是重要的起振元件,利用它的充放电特性,在充电和放电间会产生断续的
电压
来
触发
晶体管,晶体管便断续地接通和关断。从而完成振荡,振荡的频率{次数},由电容的充放电时间决定,充放电时间由电容的容量决定,容量越大充电时间越长,时间越长振荡的次数{频率]越少。因此可见电路的...
电力电子技术中甲管晶
电压电流
安全裕量是多少
答:
晶闸管
导通条件为:加正向
电压
且门极有
触发电流
;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作...
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