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晶闸管是电流驱动
二极管,三极管,
晶闸管
,MOS,IGBT,都是有源(主动)器件吗?为什么?_百度知...
答:
二极管是一种二端器件,能够将
电流
只允许在一个方向上通过,具有整流功能,因此可以说是有源器件。三极管是一种三端器件,由基极、发射极和集电极组成。通过控制基极电流,可以在集电极和发射极之间放大电流,因此也属于有源器件。
晶闸管是
一种四层PNPN结构的器件,具有开关功能。通过施加一个触发脉冲,可以...
什么是半控型电力电子器件?
答:
半控型器件 就是只能触发开通,不能控制关断的器件。
晶闸管
典型半控型器件 全控型器件 既可以控制开通,又可以控制关断的器件。还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR
为电流驱动
型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
怎样区分
晶闸管
的擎住
电流
和维持电流维持电流是使晶
答:
而维持
电流
是均匀分布在整个阴极结结面上的电流,它的作用仅仅是维持两个晶体管正反馈所需的最小电流。所以维持电流小于擎柱电流。它们都是温度的函数,随温度的升高而减小。此外,维持电流还与门极-阴极间的阻抗有关。一般来说,门极-阴极间阻抗增大,维持电流减小。晶闸管:
晶闸管是
晶体闸流管的简称...
场效应管和
可控硅驱动
电路一样吗?
答:
典型应用就是电磁炉,流过炉盘(加热线圈)的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大,但相位不同,互相抵消,经叠加后的总电流较小,即流过场效应管(实际用IGBT)的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路:而
可控硅
属
电流驱动
,因为他等效于两个三极管构成正反馈放大,当有一个触发信号后,由于...
百度知道
答:
GTR饱和压降低,载流密度大,但
驱动电流
较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。2、可关断
晶闸管
GTO(Gate Turn-...
晶闸管
的特性?
答:
晶闸管
的基本特性 一、静态特性 (1)正常工作时的特性 1.当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发
电流
,晶闸管都不会导通 。福克斯 运动从此更智能 广告 2.当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。3.晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门...
晶闸管是
如何导通和关断的?
答:
加反压或使其
电流
低于维持电流能使
晶闸管
由导通变为关断。维持晶闸管导通的条件是,晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压就可以使晶闸管由导通变为关断。
普通
晶闸管
的通态
电流
是用电流的什么来表示
答:
一般就是指
晶闸管
额定电流,这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等,即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额,并应留一定的裕量。一般选取其通态
电流为
按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
晶闸管
,三极管,二极管,可控管之间的区别
答:
区别:一、结构不同 1、
晶闸管是
PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极。2、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。3、二极管一种具有两个电极的装置,只允许
电流
由单一...
普通
晶闸管
的通态
电流
是用电流的什么来表示
答:
一般就是指
晶闸管
额定电流,这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等,即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额,并应留一定的裕量。一般选取其通态
电流为
按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
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