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开启电压和阈值电压区别
3844b是什么器件?
答:
7脚Vcc-电源端,内部有输入欠压锁定电路,当电压低于16V时,芯片不工作,当电压大于16V时,芯片工作,工作后当电压低至10时,芯片停止工作。说明3844工作开启
阈值电压
是16V,关闭阈值电压是10V。3844的工作电流是15MA,最大工作电压是30V,不工作时的静态电流是1MA。8脚VREF-基准电压输出端,芯片工作后...
电力MOSFET的工作原理是什么?
答:
电力MOSFET的工作原理(N沟道增强型VDMOS)截止:漏源极间加正电源,栅源极间
电压
为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。电力...
请教,什么是BODY EFFECT,它用来表征什么?
答:
对器件而言,衬底偏置电压的存在,将使MOS晶体管的
阈值电压
的数值提高。对NMOS,VTN更正,对PMOS,VTP更负,即阈值电压的绝对值提高了。(转)一般说来,拿nmos管来说,体电压为0,即接地,当体电压为负值时,导致耗尽层电荷书增加,使得开启门电压增大,就是所谓的body effect所谓体效应,一句话就是使...
脉冲测试的作用
答:
器件工程师还可以利用脉冲测试技术分析电荷俘获效应。在晶体管开启后电荷俘获效应会降低漏极电流。随着电荷逐渐被俘获到栅介质中,晶体管的
阈值电压
由于栅电容内建电压的升高而增大;从而漏极电流就降低了。脉冲测试为人们和研究纳米材料、纳米电子和目前的半导体器件提供了一种重要手段。
igbt工作原理
答:
igbt工作原理和作用是:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿
电压
BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了...
上管和下管
区别
集电极和基极
电压
一样可以导通吗
答:
不可以。如果集电极和基极电压一样,也就是两个电极的电位相同,晶体管是不会开启的,因为在这种情况下,没有足够的电压差来克服晶体管内部的
阈值电压
,无法形成足够强的电流驱动晶体管导通。
如何区分
二极管的增强型和耗尽型?
答:
对于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),增强型和耗尽型的
区别
在于它们的导电沟道是如何形成的:•增强型MOSFET:•当栅源电压(VGS)为零时,没有导电沟道,因此没有电流流过。•必须增加栅源电压超过
阈值电压
(Vth)才能诱导出导电沟道,从而开启器件并让电流流动。•增强...
IRLML2402TRPBF基本信息
答:
25°C 满功率工作温度: 也同样是25°C 测量的电压 Vgs @ Rds on: 4.5伏特 典型电压, Vds: 20伏特 连续电流, Id: 1.2安培 脉冲电流, Idm: 7.4安培 最低结温, Tj: -55°C 该器件支持表面安装,适用于SMD应用
阈值电压
, Vgs th: 典型值为0.7伏特,最低值同样为0.7伏特 ...
请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺...
答:
当VGS电压太低时,感应出来的负电荷较少,它将被P型衬底中的空穴中和,因此在这种情况时,漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时,其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道,这个临界电压称为
开启电压
(或称
阈值电压
、门限电压),用符号VT表示(一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT)。当VGS...
ASEMI场效应管7N60的极限参数有哪些?
答:
(2)RDS(on),在特定的VGS(通常为10V)、结温和漏极电流的条件下,MOS管7N60导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数,决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此,该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算;(3)VGS(th),
开启电压
(
阈值电压
...
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