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双极性晶体管和场效应晶体管
双极性晶体管
的结构
答:
一个
双极性晶体管
由三个不同的掺杂半导体区域组成,它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体,而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出,通常用字母E、B和C来表示发射极(Emitter)、基极(Base...
场效应管与
三极管的区别,不都是
晶体管
吗?
答:
1、三极管是
双极
型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管
是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种 载流子 2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流 场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流 3、三极管输入阻抗小,...
什么是
晶体管
的特征频率和截止频率?
答:
特征频率是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量。如对于
双极
型
晶体管和场效应晶体管
而言,是指其电流放大系数下降到1时的频率;对于用作检波、开关等的无源二极管而言,是指其阻抗下降到很小、不能吸收信号功率时的频率。截止频率,即当保持输入信号的幅度不变,改变频率使输出信号降至最大值的0....
晶体管与
晶闸管的区别
答:
噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等。3、分类不一样:晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶体管主要分为两大类:
双极性晶体管
(BJT)
和场效应晶体管
(FET)。参考资料:百度百科-晶闸管 百度百科-晶体管 (电子元件)...
你认为
双极
型
晶体管
如何定义增益?
答:
输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为:硅管的开启电压约为0.7V,锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时,集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为:
双极
型
晶体管
输出特性可分为三个区:...
晶体
三极管和CMOS管的放大原理有何区别
答:
关于CMOS管 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料,由PMOS
管和
NMOS管共同构成,它的特点是低功耗。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体
场效应晶体管
(MOSFET)集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统,在...
电子管,与晶子管,区别?
答:
半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。半导体三极管主要分为两大类:
双极性晶体管
(BJT)
和场效应晶体管
(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、...
PN结的单向导电性是什么?
答:
PN结正偏时导通,呈现很小的电阻,形成较大的正向电流;PN结反偏时截止,呈现很大的电阻,反向电流近似为零。通常的说法是在不加外电压时,这个PN结中P区的多子是空穴,N区的多子是电子(通常只考虑多子),因为浓度差,载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前,P区与N区的正负电荷是相等的,呈电中性...
什么叫
双极性晶体管与
单极性晶体管有什么区别?
答:
这两种管的结构和作用都不相同,如下所示:1,
双极性晶体管
(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和...
三极管
和场效应管
是什么控制器件
答:
三极管
和场效应管
是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件。1、三极管 最初发明的是三极管,以其优异的性能迅速代替了电子管,但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷,在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的
晶体管
,于是场效应管就应用而生了。2、场效应管 最...
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