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双极型晶体管
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄?
答:
PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、
双极性晶体管
的物质基础。PN结的形成 PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体...
求三极管的详细资料
答:
TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。 半导体三极管主要分为两大类:
双极性晶体管
(BJT)和场效应晶体管(...
74系列(74f74n)是ttl 还是cmos
答:
74系列都是ttl集成电路。1、CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极
晶体管
构成(
双极性
电路)2、COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 4、CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)5、CMOS的工作...
如何做 一个场效应管放大电路!
答:
如图所试:这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器,其中电路元件参数:C1=0.1微法(无
极性
电容),C2=10微法50伏电解电容,接D级一端为正极。CS=4.7微法50伏电解电容,接地端为负极。RG=2兆欧姆,RD=100K欧姆,RS=47K欧姆,RL=20-30K欧姆,电源电压ED=20伏 静态工作点:因为UGS=-...
世界第一个电子芯片是谁发明的?
答:
而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个
双极性晶体管
,三个电阻和一个电容器。
场效应管k40t120可以代替fgl40n120吗
答:
不可以。参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,仅靠半导体中的多数载流子导电,FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。
开关电源的设计与工作原理
答:
为了减小或消除这种损耗,功率场 效应管宜采用零电压开通方式(ZVS)。绝缘栅
双极性晶体管
(Insu1ated Gate Bipo1ar tansistor,IGBT)是一种复合开关器件,关断时的电流拖 尾会导致较大的关断损耗,如果在关断前使流过它的电流降到零,则可以显着地降低开关损耗,因此IGBT宜采用零电流(ZCS)关断方式...
PN结正偏和反偏是什么含意
答:
1、PN结正偏的含意:(1)、当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(2)、在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。2、PN结正偏的含意:(1)、与正向偏置相比,交换电源...
高压变频器是用IGBT模块好还是IGCT模块好?
答:
1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。2、相对于IGBT而言,IGCT投放市场的时间较晚,应用也没有IGBT广,技术成熟度应该不如IGBT。变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。
什么是
双极性
半导体?什么又是CMOS
晶体管
半导体?
答:
应该是双极型的,不是
双极性
,指的是半导体内部有两种载流子来导电。cmos是单极型半导体,指的是内部有一种载流子。
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