99问答网
所有问题
当前搜索:
半导体管图示仪
腔体耦合器的作用?
答:
腔体耦合器的主要用途是用于按需求分配有限射频信号。腔体耦合器具有耦合损耗可根据实际需要而设计,具有工作频带宽,带内插损小,隔离度高, 驻波比小,其外型美观的特点。腔体耦合器适用于基站耦合等大功率信号耦合或室内分布系统等要求长期及稳定性的区域,根据运营商要求选择。
半导体
包括哪些电子元器件?半导体电子元器件详细介绍
答:
所谓半导体就是指导电性能介于金属导体和绝缘体之间的物质,一般是固体(如锗、硅和某些化合物),其中杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等)都会使其导电性发生变化。目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有
半导体管
的集成块、芯片等。① 二极管:二极...
二管子有电阻吗?
答:
指针式万用电表采用电阻档检测,使用不同的电阻档有不同的阻值,其原因是二极管的的转向电阻值和通过的电流有关,电流越大阻值越小,所以指针式万用表测二极管的正向电阻范围可以有十几Ω到几KΩ之间变化。反向电阻相当大,普通的万用表测不出,需要要专门的晶体
管图示仪
检测计算所得。
半导体
缺陷 有哪些表征方法?谢谢啦
答:
采用晶体
管图示仪
作为试验前后的电性能参数测试,ETS910静电模拟发生器对待测样品进行放电,条件为标准人体模型,正反向连续放电3次,间隙为1s,测试结果(表2)表明,当静电电压较低时,所有样品的抗静电能力未见差别,但随着电压的上升,差别明显加大。取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的抗...
集电极电压降低,管压降升高的原因是什么?
答:
基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降。管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即:Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压。正常工作时,基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube,所以:Ub=Ue+Ube,其中Ube是三极管的属性,硅管约0....
三极管基极的作用是
答:
三极管基极的作用是 三极管基极的作用是输送控制载流子。基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极:分别是发射极、基极和集电极。
半导体管
在工作时要加工作电压,于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小,发射极电流最大。在基极加一很...
在伏安法测电阻中如何确定所测二极管的正向开启电压?
答:
最最理想即就是晶体管特性
图示仪
上所显示伏安曲线了。只要X轴逐步加压,观察到丫轴突上窜点即是此开启导通电压值。内接,外接是电流表相对位置确定的,当电流表在电压表所并联的两点之内,叫内接法:所测电阻比真实值大 当电流表在电压表所并联的两点之外,叫外接法,所测电阻比真实值小。待测电阻...
光耦的用法光耦有什么特性
答:
光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在一定的IF作用下,所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系,用
半导体管
特性
图示仪
测出的...
enmos是什么东西?
答:
一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器,其特征在于由n沟道电场传感器(ENMOS1)、n沟道耗尽型金属氧化物
半导体管
(ENMOS’2)、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管(NMOS5)组成,P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管(PMOS3、PMOS4)组成,2个P 型金属氧化物半导体...
P型半管
导体
n型半管导体,他们的特点分别是什么?
视频时间 03:08
<涓婁竴椤
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜