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半导体功率器件
FGA25N120是什么三极管
答:
FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率(1200V、50A)下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式
功率半导体器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
中国
半导体
前景堪忧
答:
MOSFET在分立
功率半导体器件
中排名第一,占2019年市场规模的36.3%,其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管,市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单,工作...
大
功率
整流是用IGBT还是用可控硅
答:
1、大
功率
整流用可控硅。2、IGBT与可控硅相比各有优点,前者是可控制开-关元件,后者大多数是只能控制开,不能控制关(现在有可关断可控硅了)。受元件制造工艺和工作原理等影响,前者可在较高频率下工作(最高25KHz左右),后者大多在5KHz以内,这个是前者比后者的优点。3、前者相比的缺点是成本高...
什么叫
功率器件
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式
功率半导体器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通...
弧焊电源内部有哪些
功率半导体器件
,它们各自用途是什么,以及是如何工 ...
答:
但其输出电流波形为正弦波,因此电弧稳定性较差,
功率
因数低,一般用于焊条电弧焊、埋弧焊和钨极惰性气体保护电弧焊等方法。矩形波交流弧焊电源它是利用
半导体
控制技术来获得矩形波交流电流的。由于输出电流过零点时间短,电弧稳定性好,正负半波通电时间和电流比值可以自由调节,因此特别适合于铝及铝合金钨极...
为什么氮化镓能够成为第三代
半导体
的核心材料啊?
答:
半导体技术在不断提升,端设备对于
半导体器件
性能、效率、小型化要求的越来越高。寻找硅(Si)以外新一代的半导体材料也随之变得更加重要。在50多年前被广泛用于LED产品的氮化镓(GaN),再次走入大众视野。特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓代表的第三代半导体材料的快速发展。射频
功率
放大器...
氮化镓能用来做
半导体
材料吗?
答:
是的,氮化镓(GaN,Gallium Nitride)是一种重要的半导体材料,广泛应用于半导体器件制造。氮化镓具有一些优良的性质,使其成为高电子迁移率晶体管(HEMT)和其他射频、微波和
功率半导体器件
的理想材料。以下是氮化镓的一些特点和应用领域:1. 宽禁带宽度:氮化镓拥有宽禁带宽度,这意味着它可以承受更高的电场...
半导体器件
的命名方法
答:
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示
半导体器件
的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小
功率
管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-...
BTA16-600B可控硅能用什么型号代换?
答:
BTA16-600B基本参数有,电流Igt:50mA,有效值:16A,电压,Vgt:1.5V等。参数与BT139系列、BTA16系列基本一致,可替换使用。可控硅,也叫晶闸管,是用小电流小电压控制大电流大电压的开关。平均电流、门极触发电流、维持电流等是可控硅的主要参数标识 。主要参数一致可替换使用。该
器件
被广泛应用于各种...
大
功率
整流是用IGBT还是用可控硅
答:
1、大
功率
整流用可控硅。2、IGBT与可控硅相比各有优点,前者是可控制开-关元件,后者大多数是只能控制开,不能控制关(现在有可关断可控硅了)。受元件制造工艺和工作原理等影响,前者可在较高频率下工作(最高25KHz左右),后者大多在5KHz以内,这个是前者比后者的优点。3、前者相比的缺点是成本高...
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