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半导体功率器件
氮化镓
功率器件
领域的新选择是什么?
答:
2. 功率密度大:磷化铟
功率器件
的热稳定性好,故其功率密度可以比氮化镓功率器件更高,能够实现更高的功率输出。3. 容易实现集成化:磷化铟功率器件的制造工艺与传统的
半导体器件
相似,设备成熟度高,可以容易地实现集成化,从而降低生产成本。目前在磷化铟功率器件的研发方面,一些国内外企业和研究机构已经...
功率器件
的N截止环有什么作用
答:
降低正向导通时的势垒高度,使得JBS碳化硅二极管的正向开启电压VF大幅度降低,降低二极管的开通损耗,提高系统可靠性。
功率半导体器件
,以前也被称为电力电子器件,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等。
igbt和sic有什么区别
答:
IGBT和SiC是两种不同的功率半导体材料,它们的主要区别在于使用的材料及其带来的性能差异。首先,IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种传统的硅基
功率半导体器件
。它结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型功率晶体管的特点,具有驱动功率小、开关速度快、工作电压高等优点。因此,IGBT在电力转换、...
三极管的命名和标示方法
答:
C-N型硅材料 D-P型硅材料 表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示
半导体器件
的类型。P-普通管、V-微波管 W-稳压管 C-参量管 Z-整流管 L-整流堆 S-隧道管 N-阻尼管 U-光电器件 K-开关管 X-低频小
功率
管(F<3MHz...
6英寸晶圆能切多少
功率器件
答:
100个左右。晶圆能出多少
功率器件
要看设计要求、良品率以及工艺制程等,6英寸晶圆大约17600平方毫米,若以每块芯片100平方毫米计算,加工后要切去一定的圆周扇形余料,在100个左右。晶圆是指制作硅
半导体
电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。
氮化镓
器件
相比硅器件有哪些优势?
答:
充电器 以充电器这个产品分类来说,氮化镓材料的充电器可以获得更小的体积、更大的充电
功率
。氮化镓是目前全球最快功率开关
器件
之一,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的变压器,让充电器可以有效缩小产品尺寸。比如导入USB PD快充参考设计,使目前常见的45W适配器设计可以采用30W...
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
答:
GTO(门级可关断晶闸管):全控型
器件
电压、电流容量大,适用于大
功率
场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 。GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制...
碳化硅二极管的优势有哪些?
答:
用碳化硅做成功率器件,其最高工作温度有可能超过600℃,而硅的禁带宽度为1.12eV,理论最高工作温度200℃,但硅功率器件结温大于150℃~175℃后,可靠性和性能指标已经明显降低。2.高击穿场强提高了耐压,减小了尺寸 高的电子击穿场强带来了
半导体功率器件
击穿电压的提高。同时,由于电子击穿场强提高,在...
igbt和碳化硅区别
答:
1. 材料特性与结构差异 IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种由硅材料制成的
功率半导体器件
。它通过控制栅极电压来调控集电极与发射极之间的电流。硅作为第一代半导体材料,其技术成熟且成本相对较低,但受限于硅的物理特性,如较低的热导率和较窄的禁带宽度,IGBT在高温、高频率和高功率应用下存在一定的...
什么是单极型晶体管和双极型晶体管?
答:
二、双极型晶体管 晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极管,简称三极管,是一种固体
半导体器件
,可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关.基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不...
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