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tfet晶体管
带带隧穿(BTBT)
答:
在当今的半导体器件世界中,带带隧穿(BTBT)是
晶体管
场效应晶体管(
TFET
)中的核心概念,它通过巧妙地操控栅压,重构能带结构,形成独具特色的Ⅲ型异质结。这种异质结设计的关键在于理解经典物理与量子理论的交融,以及它们如何共同塑造电子的运动路径。想象一下,当一块P型半导体与N型半导体紧密相连,构建...
半浮栅
晶体管
的性能和结构
答:
科学家们把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来,构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件,称为半浮栅晶体管。“硅基
TFET晶体管
使用了硅体内的量子隧穿效应,而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”“隧穿”是量子世界的常见现象,可以“魔术般”地通过固体,好像拥有了...
量子力学(微电子专业)笔记 5. 势垒贯穿模型
答:
想象一下量子世界中的神奇现象——势垒贯穿,亦称隧道效应。微电子技术中的
晶体管TFET
正是这一现象的应用实例,它颠覆了经典物理的局限,展现出量子力学的非凡魅力。1. 粒子流与量子守恒定律</ 1.1 粒子的量子描述</ 在量子世界中,我们通过几率密度矢量ρ(x)来描述粒子的行为,它由ψ(x)定义,满足...
手机续航2周!1nm芯片工艺技术曝光:性能提升200%,功耗降低85%
答:
2. 1nm工艺被视为技术进步的新里程碑,目前IBM和三星在1nm技术上取得重要进展,预计将很快实现突破。3. 据悉,采用1nm工艺的芯片将使得手机续航能力显著提升,达到惊人的两周。4. 在今年上半年,三星和IBM已经联合宣布成功研发2nm工艺的芯片。5. 三星与IBM最近推出的V
TFET
(垂直传输场效应
晶体管
)技...
量子隧穿效应对cpu影响
答:
量子隧道效应在电子器件中的应用,如在隧道场效应
晶体管
(
TFET
)中,正是利用了量子隧穿现象来控制电子流动。这种器件可能会在未来的低功耗电子技术中发挥重要作用。布洛赫定理和矩阵力学等量子力学的数学表述方式,为理解和计算电子在固体中的行为提供了强大的工具。这些理论不仅帮助我们设计了现代电子器件,...
为什么曾经说7nm是半导体工艺的极限,但现在又被突破了?
视频时间 00:35
场效应管和三极管目前在应用上有那些区别,哪个应用更广泛一些?
答:
BJT和FET都是 transistor
晶体管
/三极管 就能实现的功能而言完全一样 但是BJT和FET的 材料电子迁移率、工作频率、噪声、工艺、成本、增益、衬底、都不一样 这些决定了他们的应用区别 BJT类型有:普通BJT和 HBT FET类型有:MESFET HEMT JFET MOSFET 现在用的最多的是MOSFET ,但不是因为它性能效果好 ...
为什么说7nm是半导体工艺的极限,但现在又被突破了
答:
7nm不是工艺极限,而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难,大不了用ebeam lith。但是Si
晶体管
小于7nm,隔不了几层原子,遂穿导致漏电问题就无法忽略,做出来也没法用。芯片上集成了太多太多的晶体管,晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极,晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体...
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