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mos管输入电容
反激式开关电源
mos管
d与s极之间并多大的
电容
答:
但是将5V接1.5欧电阻时,问题很严重:1、刚上电时,变压器蜂鸣逐渐加重,MOSFET两端电压反常,波形如下图,而且测得的周期(约75us)与设计值(40kHz,25us)差了3倍。这是过载了,芯片进入了降频保护模式。2、5V输出电压下降很快,大约在十几秒后降至不足1V。不过此时
mos管
两端电压无论波形还是...
场效应管特性及单端甲类功放制作全过程
答:
由于栅源之间是SiO2层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是
输入电容
的容抗。 驱动电流小。由于输入阻抗高,V
MOS管
是一种压控器件,一般有电压就可以驱动,所需的驱动电流极小。 跨导的线性较好。具有较大的线性放大区域,与电子管的传输特性十分相似。较好的线性就意味...
电路设计中CMOS电路要注意什么?
答:
(1)MOS器件输出端既不允许和电源短接,也不允许和地短接,否则输出级的
MOS管
就会因过流而损坏。(2)在CMOS电路中除了三端输出器件外,不允许两个器件输出端并接,因为不同的器件参数不一致,有可能导致NMOS和PMOS器件同时导通,形成大电流。但为了增加电路的驱动能力,允许把同一芯片上的同类电路并联...
N沟道结型场效应管在放大区工作时,它的
输入
电阻大于
MOS管
的输入...
答:
这个观点是不对的,我们知道结型场效应管的
输入
电阻要比
MOS管
的输入电阻小一些。
场效应管特性及单端甲类功放制作全过程
答:
由于栅源之间是SiO2层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是
输入电容
的容抗。 驱动电流小。由于输入阻抗高,V
MOS管
是一种压控器件,一般有电压就可以驱动,所需的驱动电流极小。 跨导的线性较好。具有较大的线性放大区域,与电子管的传输特性十分相似。较好的线性就意味...
IRF3205的栅极
输入
最大电流和电压是多少?也就是说PWM信号的最大电压和...
答:
MOS管
栅极不要
输入
电流,或者说静态输入电流为零。但是该图描述它含有3247pF
电容
,如果输入PWM信号,应该按照这个电容去考察它的充放电电流。百度到该管的“datasheet”,给出的栅极-源极最高电压+-20V。
模电怎么样判断是哪种场效应管,以及是哪种工作状态
答:
判断管子,关键是要理清楚符号,场效应管有6个不同类型(NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS),符号,特性都不同,这部分只能靠记(多看看熟了也行)。工作状态分析比较麻烦,要计算UDS,UGS,UDG的值,然后分析,具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。
P
MOS管
的栅极和漏极之间的等效
电容
答:
由于栅极绝缘程度极高,栅极又有
电容
特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让
MOS管
的DS持续保持导通.如果电压过高,栅极可能击穿损坏.在测量DS时候,最好将G与S短接,或者GS之间接一个电阻...
(开关电源)
mos管
图腾驱动,上面p沟道的管子旁边的
电容
,二极管和电阻是干...
答:
这是浪涌吸收电路,起保护
mos管
的作用,不可去除。
三极管工作在放大状态时各极电压是多少
答:
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管 VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使
MOS管
的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的
输入电容
,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上...
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