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mos管输入电容有什么危害吗
多个
mos管
并联使用极间
电容有啥
影响
答:
多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数,具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用,还可以降低损耗
。但同时,一个或者几个管子坏了,会出现其他管子电流过大的状况。
mos管
ds间并
电容
对浪涌影响
答:
在实际p沟道
mos管
电路中,容性负载的大小一般不确定,因此多数情况下需要根据实际负载,调试mos管门源间的
电容
或充电电阻的大小来确定参数并落焊,该过程较为繁琐,由于调试时第一次不知道阻容参数多少合适,因此也存在安全隐患。
如何屏蔽由
MOS管
漏源
电容
充电造成的脉冲导通
答:
产品在功率电源VDD上电瞬间,由于
MOS管
漏源存在
电容
充电过程造成MOS管源极可以直接检测到电压脉冲信号,相当于1欧负载在MOS管未开启的情况下... 电路示意图如图所示,MOS驱动电路未给出。产品在功率电源VDD上电瞬间,由于MOS管漏源存在电容充电过程造成MOS管源极可以直接检测到电压脉冲信号,相当于1欧负载在MOS管未开启...
怎么防止因
电容
充电电流过大损坏
MOS管
答:
mos管
栅极电压足够,当然会以比较大的电流给寄生
电容
充电,但是如果这个电流小了开关速度慢是不会烧管子的。倒是在实践中,虽然mos管是电压控制器件,为保护mos管,也经常在g端串联几十到几百欧姆电阻。
MOS管
被自身的 结
电容
残存电荷电压 击穿?
答:
如果你的这个结论正确的话,那可以这样来理解:第一次通电残留了一些电荷,这些残留的电荷会形成局部电场,当再次导通时,电场就会叠加,如果叠加后的电场超过了一定值,
MOS管
自然就会击穿了
为
什么mos管
高的dv/dt容易形成漏电
答:
MOS管的
漏极和源极存在寄生
电容
,因为电容本身的特性是隔断直流,通过交流,所以过高的dv/dt会使电压通过该电容形成漏电,
mos管
给
电容
直接放电
答:
尤其是对大容量电容放电,太伤MOS了。解决的办法很简单,以N沟道MOS管为例,只需改进一下,在
MOS管的
漏极和
电容器
正极之间串联一个几欧姆的电阻再与电容并联即可,这时,MOS起开关作用,放电时间几乎不受影响,这样对MOS管的要求就降低了,一般的MOS管都可以胜任,包括贴片封装、TO220封装都可以。
电容有什么危害
?
答:
电容本身并不
具有什么危害
性,它本身也没有什么辐射。你说的可能是在制作
电容器
的过程中,所使用的化学材料对人体的危害,包括制做过行程中,释放出来的有毒气体对人体呼吸系统的侵害。
mos
结
电容
大小的影响
答:
开断速度。
mos
结
电容
大小越小开断越快,响应越迅速,由此是影响开断速度的。电容是指在给定电位差下自由电荷的储藏量,国际单位是法拉。
磁饱和发生时,设备炸机并非唯一风险
答:
电压过大可能会导致大
电容
或
MOS管
被炸掉,因此,在接入电源时,请务必确保电压稳定且在规定范围内。一次侧短路一次侧短路也是需要防范的风险,如果发生这种情况,电源可能会受到损坏。超载或输出短路虽然超载或输出短路的可能性较小,但为了确保设备安全,我们仍需警惕这些潜在的风险。即使再差的电源,通常也都会有过...
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