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MOS管漏电流解决方案
两个
MOS管
导通与MOS管的
漏电流
问题
答:
问题二、MOS管的漏电流 在微型可穿戴设备中,对于电池的功耗要求很高,所以为了省电,其实电路也是很多的,
最省电的无疑就是直接断开电池的供电了
。这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用,NMOS作为下管控制PMOS的输出。NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的,重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS...
使用光耦设计一种配合单片机的检测电路,
答:
估计是你的MOS管有问题,不然漏电流不该这么大。可以通过这样几个方案解决:
1、更换MOS管
。2、
改变电路结构
,MOS管S接地,漏极接光耦发光二极管。3、改换三极管,MOS管换成普通三极管。
半导体器件——GIDL篇
答:
解决方案: 通过引入LDD技术,调整交叠区域的轻掺杂,缓和电势变化,降低载流子跃迁的可能
,从而有效地抑制漏电流的产生。在NAND器件中的影响: 在编程过程中,GIDL会与inhibit string的HCI效应相互作用,导致边缘的word line阈值电压(Vt)上移。而对于未被抑制的string,由于缺乏静电压差,这种效应相对减弱。...
泄
漏电流
反接法
答:
如反向连接小信号开关,在电池正接和设备开启时不起作用,而在电池反接时,利用电池本身的电压,对小信号开关进行控制,从而将第一
MOS管
Q3的栅极和源极之间的电压控制到较低的范围,保证该较低范围的电压远远小于绝大多数MOS器件的最低开启电压,电路结构简单、成本低、有效保证防止反接时的
漏电流
情况...
使用场效应管控制
电流
问题
答:
如果是
mos
,也是一样的,因为mos和JFET都有
漏电流
,pn结也有,我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。如果要减少漏电流的影响的话,第一,从工艺上改进,也就是做更好电学特性的场效应管,比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质,以调节阈值电压,但这基本是不能...
simulink建模
mos管
不受控
答:
simulink建模
mos管
不受控的
解决
方法有使用控制电压信号、规定ON和OFF状态、考虑
漏电流
。1、使用控制电压信号:通常情况下,
MOS管
是通过控制电压来控制的。您可以使用一个输入信号来模拟控制电压,将其连接到MOS管的控制端口。2、规定ON和OFF状态:将MOS管的ON和OFF状态分别定义为逻辑1和逻辑0。可以使用比较...
mos管漏
的夹断区为什么是倾斜的
答:
这种偏差可能会导致夹断区的倾斜。此外,夹断区的倾斜也可能是设计上的考虑。在
mos管
的设计中,夹断区的位置和形状会影响其电学特性。通过调整夹断区的位置和形状,可以改变mos管的电学特性,如增加开关速度、减小
漏电流
等。因此,在设计mos管时,会有意识地倾斜夹断区,以达到特定的电学特性。
mos管
电路工作的原理是什么及详
答:
当通道的控制电压较低时,通道内的
电流
较小;当通道的控制电压较高时,通道内的电流较大。
MOS管
的工作原理可以用下图所示的电路来解释:图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时,MOS管的通道内的电流较小,导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3,最终流入
漏
极。当Vc较高时,...
无刷电机过流保护电路,不急时??会烧坏
MOSFET
,麻烦高手指点下。_百度...
答:
根据你的描述,只有
电流
保护,不么热保护。所以当PWM一半时,电流不到保护值,保护不动作。但这时
MOS管
的散热不足,热量积累造成烧毁。当PWM全开时,由于电流保护动作,虽然MOS管散热不足,但时间很短,所以不会烧毁。解决办法:增大MOS管散热面积。换功率大些的管子也是一种
解决方案
。
MOS管漏
极
电流
怎么计算?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表
漏
极
电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管
的阈值电压。这个公式的详细...
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