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闩锁效应原理
闩锁效应原理
答:
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的
,当其中一个
三极管正偏时,就会构成 正反馈 形成闩锁
。 避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。以上四元件构成可控硅(SCR)电路,当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截...
闩锁效应原理
简单解释
答:
闩闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片
。由于CMOS器件中的PN结反向偏置时,由于电子和空穴的扩散,会形成一个PNPN结构,从而导致器件失效。这种效应会导致芯片的电路失效,甚至烧毁芯片,对芯片的可靠性和稳定性造成严重影响。为了避免闩锁效应的发生,CMOS工艺中采用了一系...
闩锁效应
(Latch-up)详解
答:
闩锁原理与触发条件闩锁现象的触发通常在以下条件满足时发生:两个BJT同时导通,形成低阻抗路径
。两个BJT的反馈回路增益乘积超过阈值,形成正反馈环路。在实际的CMOS器件中,如图4所示,两个BJT,一个P-NPN和一个NPNP,共同构成一个SCR电路。如果外部干扰如电压过高或ESD静电导致电流增加,便会触发闩锁,形...
闩锁效应
Latch up 的
原理
分析
答:
在电路设计中,
闩锁效应
Latch up涉及到四个主要元件:垂直式PNP BJT Q1,基极为nwell,集电极增益可达数百倍;NPN BJT Q2,基极为P substrate,增益可达数十倍;nwell的寄生电阻Rwell和substrate电阻Rsub。它们共同构成了可控硅(SCR)电路结构。正常情况下,当电路未受外部干扰时,两个BJT处于截止状态,集...
什么是Latch-up
效应
,试分析CMOS电路产生Latch-up效应的原因,通常使用哪 ...
答:
即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,
它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点
。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏。防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。 参考资料: 微电子学概论...
产品可靠性的集成电路的可靠性
答:
其主要失效
原理
有:电迁移效应、静电放电、过电损伤、热载流子效应、
闩锁效应
、介质击穿、α辐射软误差效应。另外在经过贮存、使用一段时间后,在各种环境因素(如温度、湿度、机械、射线)和工作应力(电流、电压、时间、频率)的作用下,某些电性能参数将逐渐发生变化,出现如温漂、时漂等失效,或者封装...
MOS管集成电路设计目录
答:
3. MOS晶体管与反相器 进一步深入MOS晶体管,包括其在反相器中的应用,如NMOS和CMOS反相器的性能分析,以及动态与静态特性。同时,讲解了延迟和功耗的影响因素。4. 工艺与设计规则 详细讲解了集成电路的加工工艺流程,包括材料制备、版图制作等,以及设计规则对电路性能的影响。CMOS反相器的
闩锁效应
...
ESD电路与器件的图书目录
答:
2.3.2
闩锁效应
2.4 接口电路和ESD元件2.5 ESD电源钳位网络2.6 ESD轨至轨器件2.6.1 ESD轨至轨网络的放置2.6.2 外围和阵列I/O2.7 保护环2.8 焊盘、浮动焊盘和无连接焊盘2.9 连接焊盘下的结构2.10 本章小结习题参考文献第3章 ESD设计:MOSFET电路设计3.1 基本ESD设计概念3.1.1 沟道长度和线宽控制3.1.2 ACLV控制...
功率地和模拟地处理方法探讨
答:
这种选择的关键在于权衡干扰隔离和电压偏移的风险,取决于IC的特性,如转换速度、功率等级,以及封装寄生电感和工艺相关的
闩锁效应
。结论与启示 关于AGND和PGND的处理,没有固定的规则。用户往往依赖于IC制造商提供的示例电路,这些电路经过了制造商的测试,但也不能忽视潜在的设计错误。深入理解基本
原理
,结合...
CMOS反向器的输出端可以连在一起吗?
答:
但是一段时间后其功能可能会恢复正常,HPM 引起 CMOS 反相器
闩锁效应
的能量阈值特性。这些报道多数都是 HPM 效应实验的结果描述和规律统计,而针对具体效应与规律进行
机理
分析和微观解释的研究则相对较少。CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成,其中V1为NMOS管,称驱动管,V2为PMOS管,称负载管。
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