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电路电子pn结
pn结的
基本特性?
答:
pn结的
基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体,也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理,所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于
PN结的
单向导通原理工作的;而一个PNP结构则可以形成一个三极管,里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是
电子电路
里面最基本的元件。
PN结
怎么理解
答:
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为
PN结
。PN结具有单向导电性,是
电子
技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N...
模拟
电路
——
PN结
答:
最后,
PN结
还蕴含着电容效应,势垒电容和扩散电容共同储存电荷。在正向偏置时,势垒电容起着主导作用,而在反向偏置时,扩散电容占据主导。这对高频电子设备的性能有着重要影响,因此在设计中必须仔细权衡。
PN结
是什么?
答:
PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心,是现代
电子
技术的基础。在二级管中广泛应用。
PN结的
平衡态,是指PN结内的温度均匀、稳定,没有外加电场、外加磁场、光照和辐射等外界因素的作用,宏观上达到稳定的平衡状态.PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在...
PN结
是怎样形成的?
答:
当空间电荷区形成后,在内电场作用下,漂移运动,从N向P区运动,而自由
电子
从P运动到N。在无外电场和其他激发作用下,参与运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而发到动态平衡,形成
PN结
,此时空间电荷区具有一定的宽度,电位差为耗尽层电势相等,电流为零。在P型半导体和N型半导体结合后,由于N...
PN结
最主要的特性是什么?
答:
PN结
有三个特性:1、正向导通,反向截止!当正向电压达到一定值时(硅管0.7V,锗管0.3V)左右时,电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子,即
电子
和空穴。3、受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,...
PN结
,什么是正向电压?是P向N?还是N向P?能具体说明下什么是PN结吗?
答:
PN结是将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性,是
电子
技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
PN结的
正向电压是P区接电源的正极,N区接电源的负极。PN结接正向电压时,会形成方向...
pn结的
基本工作原理
答:
PN结
加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外
电路
不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压...
pn结
具有___特性
答:
pn结
是半导体器件中最常用的一种结构。在多种
电子
设备中,如二极管、太阳能电池板等,都能看到
pn 结的
身影。这种结构的特性在半导体技术的发展历程中,起到了至关重要的作用。拓展:1.整流特性 pn 结的第一项特性是整流,即只允许电流从正向流入结的一端,而阻止逆向电流的流动。在 pn 结中,P ...
pn结
一般工作在哪几种工作状态?
答:
2、电容特性:
PN结
本身存在电容,因为其空间电荷区的存在导致了PN结两侧电势的差异,即存在一个所谓的PN结电容。这种电容特性被广泛应用于放大器和滤波器
电路
中。3、发光特性:当PN结正向偏置,即在PN结外加正向电压时,
电子
从n型半导体侧流向p型半导体侧,遇到空穴后发生复合,释放出能量并发出光子,形成...
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