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电导调制效应是什么意思
电导调制效应
怎么理解
答:
基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。
电导调制效应是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应
,当基区集电结反向电压增大时,基区集电结的空间电荷区加宽,这就引起基区有效宽度变窄。在大注入时基区电导增大的现象。就是电导调制调制效应。
电导调制效应是什么
呢?
答:
电导调制效应是基区宽度调制效应。
属于半导体物理的范畴了
。
就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应
。当集电结反向电压增大时,集电结的空间电荷区加宽,这就引起基区有效宽度变窄。是在大注入时基区电导增大的现象;而基区宽度调制效应就是Early效应。电导调制效应原理 光电导效应,...
电力电子技术中的
电导调制效应是什么
?
答:
以BJT为例
电导调制效应又称基区宽度调制效应,属于半导体物理的范畴了
。
就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应
。当集电结反向电压增大时,集电结的空间电荷区加宽,这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小,所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小,也就是基...
怎么理解
电导调制效应
?
答:
电导调制效应是Webster效应,又称
基区宽度调制效应,属于半导体物理的范畴了
。
就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应
。当集电结反向电压增大时,集电结的空间电荷区加宽,这就引起基区有效宽度变窄。当PN结上流过的正向电流较大时,注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大,为了...
电导调制效应
答:
1、电导调制效应是基区宽度调制效应属于半导体物理的范畴了就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应当集电结反向电压增大时
,集电结的空间电荷区加宽,这就引起基区有效宽度变窄是在大注入时基区电。2、又称基区宽度调制效应,属于半导体物理的范畴,就是指基区的有效宽度随集电结...
电导调制效应
的优缺点
答:
1、高速调制:
电导调制
器具有高速调制的能力,实现高速光通信和数据传输。2、低驱动电压:与其他调制技术相比,电导调制器具有更低的驱动电压,可以减少能耗和热量产生。3、小尺寸:电导调制器可以制作得很小巧,可以集成在微型器件中。4、信号损失:电导调制器的信号传输过程中会有光信号的损失,会影响其...
电力二极管的动态特性及其为
什么
答:
快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 追问: 什么是电导调制效应,它是如何影响电力二极管的动态特性的 回答:
电导调制需效应是Webster效应
,是在大注入时基区电导增大的现象;而基区宽度调制效应就是Early效应,是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象...
IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不同之处
答:
由于IGBT背面有一个P型层,IGBT在开通状态时,其N-漂移区能会发生强烈的
电导调制效应
,就是因为这个电导调制效应,导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3,其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应,导致IGBT在关断时会存在拖尾电流,使IGBT的关断时间变长,关断损耗变大。
gto、 igbt、 mosfet三者有
什么
区别?
答:
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有
电导调制效应
,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动...
电力二极管的动态特性中,为
什么
会出现电压过冲呢?
答:
经过td后反向电流才逐渐变小再经过tf 时间二极管的电流才成为 (- i0) , td 称为储存时间, tf 称为下降时间。trr= td+ tf 称为反向恢复时间。正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点: 优点:
电导调制效应
使通态压降较低,在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点:反向关断过程中会...
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