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晶体管模块电路图解
晶体三极管
的工作原理及
电路图
答:
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如右图所示 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电...
最简单的延时
电路
答:
电子延时
电路
种类很多,最简单的不过是
晶体管
延时电路了,如下图所示。
图
中晶体管为两个9014,组成复合管以提高放大倍数。开关,继电器,三极管,电阻,电容,小延迟开关电路见图D1--D1,SCR 组成开关的主
回路
,BG1,BG2 等组成开关的控制回路。平时,BG1,BG2 均处于截止状态,SCR 阻断,电灯 H 不亮。
晶体管
放大
电路
如图,画出它的直流通路,交流通路,微变等效电路。
答:
交流通路画法:电容电源短路。微变
电路图
画法,在交流通路基础上,三极管be间为电阻rbe、ce间为受控电流源。
晶体管
的简单
电路
, 谢谢~~~
答:
如图:Ic=0.724mA,Uce=Uc-Ue=10.1V-4.97V=5.13V
谁能帮我分析一下这个
电路图
?要详细的。。。(
晶体管
延时保护电路)
答:
此
电路
上面12V处为正、负极接地,具体分析如下:(将BG1、BG2看成一个NPN复合管,将BG3、BG4看成一个PNP复合管)1、按下AN通过D1和R2给C放电的同时提高O点(C的负和R1、R、AN的连接处)的电位,这时BG1导通再引起BG2导通,由于R2的作用使b点的电位降低导致BG3-BG4导通从而使J 吸合。2、松开AN...
晶体管
的简单
电路
, 谢谢~~~
答:
考虑管子工作在放大区 Ic=β·Ib,Ib=10uA,Vb=R·Ib+Vbias Vb=0.2V+Vbias,b和e之间有一PN结,利用PN结结电流公式有 i=Is(exp(qu/kT)-1)用UT代替kT/q,及所说的thermal voltage,为0.026V,公式可以表示成 i=Is(exp(u/UT)-1)又有Is=6 × 10−16 A,UT=0.026V,...
三极管
电路图
怎么看的?
答:
为使三极管开关的效果明确,可串接两三极管,
电路
如图六。同样将输入信号 VIN 从0 调到最大 (等分为约20 个间隔),观察并记录对应的VOUT 以及LED 的亮度。补充:三极管:半导体三极管(Bipolar Junction Transistor),也称双极型
晶体管
、
晶体三极管
,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度...
微变等效
电路图
的画法
答:
1、先画出
晶体管
的微变等效
电路
当输入信号很小时,在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时,ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区,rье是常数。因此,晶体管的基极与发射极之间可用rье等效替代。在小信号放大区β是常数,对交流分量可写成ic=βiь,这表示...
怎么用
晶体管
画与门、或门原理图
答:
先要明白
晶体管
在 饱和和截止(即开关工作模式)的原理 然后根据数字逻辑知识,就可以画出来了 关键还是 Bjt 和Cmos FET的工作原理 ,这些模拟
电路
基础知识要懂才行 门电路都是晶体管开关电路 原理图教科书上不都有吗,找本教材看啊 下面是个CMOS fet的与门图,或门原理也一样类似:...
大功率igbt
模块
替换原理
答:
原理:IGBT的等效
电路
如图1所示。从图1可以看出,如果在IGBT的栅极和发射极之间施加一个驱动正电压,MOSFET将导通,使得PNP
晶体管
的集电极和基极处于低阻状态,晶体管将导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则MOSFET关断,切断PNP晶体管基极电流的供应,从而晶体管关断。因此,IGBT的安全性和可靠性...
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