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功率半导体结构
半导体
器件的基本
结构
答:
半导体器件的基本结构如下:半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间
,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有...
讨论
功率半导体
器件IGBT时提到“元胞”,请问“元胞”是什么?
答:
图1是每一个元胞的剖面图。元胞
结构
是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降,导通压降又是影响器件输出
功率
的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量为0.6到0.9mA,一个5A的器件要设计11000到16...
目前,大
功率半导体
激光器的主要
结构
形式是由许多发光区等距离地排列在...
答:
解:(1)考虑到使3个点光源的3束光分别通过3个透镜都成实像于P点的要求,组合透镜所在的平面应垂直于z轴,三个光心O1、O2、O3的连线平行于3个光源的连线,O2位于z轴上,如图1所示.图中MM′表示组合透镜的平面,S′1、S′2、S′3为三个光束中心光线与该平面的交点. .S2O2=u就是物距.根...
VMOS,UMOS,DMOS
功率半导体
器件的
结构
区别?
答:
U型金属氧化物半导体(UMOS)设备包括1个P -基础层
,一个N +源区在P处置基层其中源区与一首的P表面底层第一面共面,通过介质层的P -基层.DMOS与CMOS器件结构类似,也有源、漏、栅等电极,但是漏端击穿电压高。
功率半导体
注塑封装和灌胶封装区别
答:
1、封装
结构
:注塑封装的
功率半导体
器件使用外壳和内部封装体的三层结构,其中外层通常为塑料或金属外壳,内部封装体中包含电路板等元件;灌胶封装的功率半导体器件则直接利用特殊材料灌胶封装,不需要外壳。2、外观形态:注塑封装功率半导体器件一般相对坚固,且外观平整,看起来美观;而灌胶封装的功率半导体...
半导体
激光器
结构
是怎样的 半导体激光器工作原理介绍【详解】
答:
2.半导体激光器
结构
。其外形及大小与小
功率半导体
三极管差不多,仅在外壳上多一个激光输出窗口。夹着结区的p区与n区做成层状,结区厚为几十微米,面积约小于1mm2。半导体激光器的光学谐振腔是利用与p-n结平面相垂直的自然解理面(110面)构成,它有35的反射率,已足以引起激光振荡。若需增加反射率...
半导体
发光二极管LED和半导体激光器LD的
结构
、工作原理是什么?它们的...
答:
LD发射
功率
较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽,而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制 带宽较窄。激光器的工作存在与普通光源不同之处在于,它同时需要 激光工作物质(这在
半导体
激光二极管LD中,激光工作物质即为半导体材料), 泵浦(即外加的能量源),谐振腔。LD和LED 的工作时,其体系
结构
中都...
IGBT是什么元件
答:
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式
功率半导体
器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
什么是
半导体
三极管?它在
结构
上有何特点?
答:
半导体
三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。按照
结构
工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的
功率
大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的...
半导体
激光器
结构
图半导体激光器的应用
答:
半导体
激光器
结构
图,半导体激光器的应用很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、激光是20世纪以来最重要的发明之一。普通激光器可以作为照明装饰,有些激光器可以作为切割工具。现在,人们可以通过各种渠道了解整容手术,其中激光美容非常受欢迎。现在激光的应用越来越广泛,在很多领域都有应用。今天让...
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