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分栅存储器的工作原理
手机内存卡
存储原理
?
答:
手机内存卡
存储原理
是运用闪存技术。是一种电子式可清除程序化只读
存储器的
形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。闪存的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空
栅
MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入第一级浮空栅。读...
EPROM写入过程中的热电子是如何注入浮栅的?
答:
EPROM
的工作原理
EPROM,即可编程只读
存储器
,主要采用双层栅结构(图一),如图所示。浮栅在无电子注入时,当控制栅加电压,电子会流向上层,导致下层出现空穴。这会引发感应,吸引电子并开启沟道。若浮栅已带电子,管子的阈值电压会增大,沟道处于关闭状态,实现开关功能。写入过程 如图二所示,写入过程开始...
闪存卡的
存储原理
是什么
答:
由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦
存储器
不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。 到后来,随着半导体技术的改进,闪存也实现了单晶体管(1T)的设计,主要就是在原有的晶体管上加入了浮动
栅
和选择栅,在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮...
NAND flash和NOR flash的区别详解
答:
一、
存储
数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管
的工作原理
相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的 电流消耗极小,不同 的是场效应管为单栅极结构,而 FLASH 为双栅极结构,在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置...
铁电
存储器的
技术特点
答:
特别是当移去电场后,中心原子处于低能量状态保持不动,
存储器的
状态也得以保存不会消失,因此可利用铁电畴在电场下反转形成高极化电荷,或无反转形成低极化电荷来判别存储单元是在 ”1”或 “0” 状态。铁电畴的反转不需要高电场,仅用一般
的工作
电压就可以改变存储单元是在 ”1”或 “0” 的状态;...
请教,U盘是用什么
原理
,用什么材料制作的?谢谢!
答:
EPROM2数据
存储器
,其控制
原理
是电压控制
栅
晶体管的电压高低值,栅晶体管的结电容可长时间保存电压值,断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极...
U盘
存储
数据
的原理
?
答:
U盘存储数据的
原理
为:计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号(加入分配、核对、堆栈等指令)读写到USB芯片适配接口,通过芯片处理信号分配给NAND FLASH存储芯片的相应地址存储二进制数据,实现数据的存储。而数据
存储器的
控制原理是电压控制
栅
晶体管的电压高低值(高低电位),栅晶体管的结电容可长...
浮动
栅
的准确定义是什么?
答:
浮动栅的设计和
工作原理
涉及到半导体物理、绝缘材料的选择和电荷输运机制等多个方面。例如,在闪存中,浮动栅通常是由多晶硅制成的,它被一层薄薄的隧穿氧化物和一层较厚的阻挡氧化物所包围。通过隧穿效应,电荷可以被注入到浮动栅中或从浮动栅中移除,从而实现数据的
存储
和擦除。浮动
栅的
应用不仅限于...
各种RAM的
原理
及区别
答:
根据存储单元
的工作原理
不同, RAM分为: 静态RAM和动态RAM 。1.静态随机
存储器
(SRAM)静态存储单元是在静态触发
器的
基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。我们平时在一些开发板上都能看见,比如:ISSI的芯片 2.动态随机存储器(DRAM )动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储...
计算机组成
原理
是什么
答:
cache
的工作原理
基于程序运行中具有的空间局部性和时间局部性特征。cache能高速地向CPU提供指令和数据,从而加快了程序的执行速度。从功能上看,它是主存的缓冲
存储器
,由高速的SRAM组成。为追求高速,包括管理在内的全部功能由硬件实现,因而对程序员是透明的。与主存容量相比。cache的容量很小,它保存的内容只是主存内容的...
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